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講演抄録/キーワード
講演名 2012-02-07 14:10
第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析
葛屋陽平モラル ダニエル水野武志田部道晴静岡大)・水田 博北陸先端大/サザンプトン大ED2011-143 SDM2011-160 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2011-143 SDM2011-160
抄録 (和) MOSFETの微細化に伴い、ランダムドーパントによる特性の揺らぎが大きな問題となってきている。これは、ナノメータ領域のチャネル寸法ではドーパント原子の個別性がデバイス特性に大きな影響を与えるためである。我々は、最近、逆の視点からドーパント原子を量子ドットして積極的に用いたデバイスの研究を行っている。このような状況下でナノ構造内のドーパントの電子状態を調べることが極めて重要となる。今回、第一原理計算によってSiナノチャネル中にあるPドーパントのドナーレベル,イオン化エネルギー,電子状態の空間分布の3つについて調べたので報告する。 
(英) Dopant-induced fluctuation of MOSFET characteristics along with device miniaturization has been recognized as a serious problem for further development of Si technology. We study this issue from a different viewpoint and try to develop novel devices which utilize individual dopant atoms as quantum dots. In this regard, it is important to investigate electronic states of dopant in Si nano structures. We performed first-principle simulation of electronic states for phosphorus donors in a Si nano-channel. In this paper, we report on phosphorus donor levels, ionization energy and spatial distribution of electronic states in Si nano channels.
キーワード (和) 第一原理計算 / イオン化エネルギー / 電子状態の空間分布 / ナノ / MOSFET / / /  
(英) Ab initio / ionization energy / spatial distribution of electronic / nano / MOSFET / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 426, SDM2011-160, pp. 7-11, 2012年2月.
資料番号 SDM2011-160 
発行日 2012-01-31 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード ED2011-143 SDM2011-160 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2011-143 SDM2011-160

研究会情報
研究会 ED SDM  
開催期間 2012-02-07 - 2012-02-08 
開催地(和) 北海道大学 百年記念会館 
開催地(英)  
テーマ(和) 機能ナノデバイスおよび関連技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2012-02-ED-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Ab initio Analysis of Electronic States for Single Phosphorus Dopants in Silicon Nanorod Transistors 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 第一原理計算 / Ab initio  
キーワード(2)(和/英) イオン化エネルギー / ionization energy  
キーワード(3)(和/英) 電子状態の空間分布 / spatial distribution of electronic  
キーワード(4)(和/英) ナノ / nano  
キーワード(5)(和/英) MOSFET / MOSFET  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 葛屋 陽平 / Youhei Kuzuya / クズヤ ヨウヘイ
第1著者 所属(和/英) 静岡大学 電子工学研究所 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) モラル ダニエル / Daniel Moraru / モラル ダニエル
第2著者 所属(和/英) 静岡大学 電子工学研究所 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 水野 武志 / Takeshi Mizuno / ミズノ タケシ
第3著者 所属(和/英) 静岡大学 電子工学研究所 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 田部 道晴 / Michiharu Tabe / タベ ミチハル
第4著者 所属(和/英) 静岡大学 電子工学研究所 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 水田 博 / Hiroshi Mizuta / ミズタ ヒロシ
第5著者 所属(和/英) 北陸先端科学技術大学院大学/サザンプトン大学 (略称: 北陸先端大/サザンプトン大)
Japan Advanced Institute of Science and Technology/University of Southampton (略称: JAIST/Univ. of Southampton)
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講演者
発表日時 2012-02-07 14:10:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-ED2011-143,IEICE-SDM2011-160 
巻番号(vol) IEICE-111 
号番号(no) no.425(ED), no.426(SDM) 
ページ範囲 pp.7-11 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ED-2012-01-31,IEICE-SDM-2012-01-31 


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