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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-01-27 15:15 シリコンCMOSオンチップマイクロストリップ線路に埋め込んだダミーメタルフィル面積密度とサイズの伝送特性への影響 ○平野拓一・岡田健一・広川二郎・安藤 真（東工大）  PN2011-63 OPE2011-179 LQE2011-165 EST2011-113 MWP2011-81 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2011-179 LQE2011-165 EST2011-113 MWP2011-81 |
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| 抄録 | （和） | 60 GHzにおいて、シリコンCMOSオンチップガイド付マイクロストリップ線路に埋め込んだダミーメタルの面積密度、サイズ、および配置位置の線路中央からの距離が伝搬定数に与える影響を電磁界シミュレーションで計算した。ダミーメタルサイズ変化が伝搬定数に与える影響は小さいことがわかった。ダミーメタル面積密度が高くなるほど減衰定数・位相定数ともに増えることがわかった。25%, 40%, 70%の面積密度では、減衰定数も位相定数もダミーメタルが無いときに比べてそれぞれ5%, 10%、20%増えることがわかった。信号線真下のダミーメタルの影響は大きく、線路下部からダミーメタルを離すほど減衰定数は小さくなり、ダミーメタルがないときの値に近づくことがわかった。信号線中央より信号線幅の1.25倍離れた位置ではダミーメタルの影響が無視できることがわかった。また、上下の層で反周期ずらした場合と、一致させた場合のダミーメタル配置における特性の違いを調べた、影響は無視できることがわかった。 |
| （英） | Transmission characteristic of an on-chip guided microstrip line is analyzed at 60 GHz. Dependences on area density, size and location of dummy metal fills are investigated. It is found that the effect of size of dummy fills is negligibly small. Both the attenuation constant and phase constant increase by 5%, 10% and 20% when area density of dummy fills are 25%, 40% and 70%, respectively. The effect of dummy metal fills can be ignored when the spacing between the center of the line to the dummy metal fills is 1.25 times against the line width. It is also found that the arrangement of dummy metal fills can be ignored. | |
| キーワード | （和） | CMOS / ミリ波 / 伝送線路 / ダミーメタルフィル / 伝搬定数 / 電磁界解析 / / |
| （英） | CMOS / Millimeter-wave / Transmission line / Dummy metal fills / Propagation constant / Electromagnetic analysis / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 415, EST2011-113, pp. 207-210, 2012年1月. | |
| 資料番号 | EST2011-113 | |
| 発行日 | 2012-01-19 (PN, OPE, LQE, EST, MWP) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | PN2011-63 OPE2011-179 LQE2011-165 EST2011-113 MWP2011-81 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2011-179 LQE2011-165 EST2011-113 MWP2011-81 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMT PN LQE OPE MWP EST IEE-EMT |
| 開催期間 | 2012-01-26 - 2012-01-27 |
| 開催地（和） | 大阪大学コンベンションセンター |
| 開催地（英） | Osaka Univ. Convention Center |
| テーマ（和） | フォトニックNW・デバイス，フォトニック結晶，ファイバとその応用，光集積回路，光導波路素子，光スイッチング，導波路解析，一般 |
| テーマ（英） | Photonic integrated circuits and devices, swtiching, PLC, fiber devices, waveguide analysis, and others |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | EST |
| 会議コード | 2012-01-EMT-PN-LQE-OPE-MWP-EST-EMT |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | シリコンCMOSオンチップマイクロストリップ線路に埋め込んだダミーメタルフィル面積密度とサイズの伝送特性への影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Transmission Characteristics of On-Chip Microstrip Lines on a Silicon CMOS Substrate Due to the Area Density and Size of Dummy Fills |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(2)（和/英） | ミリ波 / Millimeter-wave |
| キーワード(3)（和/英） | 伝送線路 / Transmission line |
| キーワード(4)（和/英） | ダミーメタルフィル / Dummy metal fills |
| キーワード(5)（和/英） | 伝搬定数 / Propagation constant |
| キーワード(6)（和/英） | 電磁界解析 / Electromagnetic analysis |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平野 拓一 / Takuichi Hirano / ヒラノ タクイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 健一 / Kenichi Okada / オカダ ケンイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 広川 二郎 / Jiro Hirokawa / ヒロカワ ジロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安藤 真 / Makoto Ando / アンドウ マコト |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-01-27 15:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | EST |
| 資料番号 | PN2011-63, OPE2011-179, LQE2011-165, EST2011-113, MWP2011-81 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.412(PN), no.413(OPE), no.414(LQE), no.415(EST), no.416(MWP) |
| ページ範囲 | pp.207-210 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-01-19 (PN, OPE, LQE, EST, MWP) |
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