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講演抄録/キーワード
講演名 2012-01-26 10:20
表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発
村上大介安田真爾吉岡佑毅東京電機大)・山本直克赤羽浩一川西哲也NICT)・高井裕司東京電機大PN2011-46 OPE2011-162 LQE2011-148 EST2011-96 MWP2011-64 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2011-162 LQE2011-148 EST2011-96 MWP2011-64
抄録 (和) 光情報通信やセンシングにおいて,半導体レーザ出力の波長や光位相などの光波の状態制御は非常に重要である.我々は半導体表面の優れた微細加工特性に着目し,表面加工による光波状態の制御を目指している.これを実現するために、光波分布をデバイス表面近傍に局在させ、表面近傍を光伝搬させる必要がある。通常の半導体レーザでは活性層の上部に非常に厚いクラッド層を有しており,これにより光がデバイス表面から奥深くを伝搬されることになる。我々はハーフクラッド構造と称して,上部クラッド層を極端に薄膜化することで光の表面伝搬を可能とする新構造を提案している.今回,このハーフクラッド構造でのレーザ発振に成功したので,その構造作製と特性評価について報告する. 
(英) A control of the light-wave properties is critical issue in developing attractive photonic devices. We have focused on good micro/nano-fabrication techniques on the semiconductor surface to control the light-wave properties of the light source. In conventional photonic devices such as semiconductor waveguide light sources, complicated techniques were required to fabricate the high-aspect-ratio artificial periodic structures that help controlling the light-wave properties. This is because the conventional photonic devices are constructed with thick cladding layers for an optical confinement. In this paper, we propose and fabricate a half-cladding semiconductor light source as an attractive and novel photonic device structure. Here, we successfully demonstrated in a CW lasing operation of the half-cladding semiconductor laser structure.
キーワード (和) 半導体レーザ / 近赤外光源 / 光波制御 / 半導体表面微細構造 / 光情報通信 / センシング / /  
(英) Semiconductor laser / Near-infrared light source / Control of light wave properties / Micro-structured semiconductor surface / Optical communication / Sensing / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 413, OPE2011-162, pp. 91-94, 2012年1月.
資料番号 OPE2011-162 
発行日 2012-01-19 (PN, OPE, LQE, EST, MWP) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 EMT PN LQE OPE MWP EST IEE-EMT  
開催期間 2012-01-26 - 2012-01-27 
開催地(和) 大阪大学コンベンションセンター 
開催地(英) Osaka Univ. Convention Center 
テーマ(和) フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶,ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般 
テーマ(英) Photonic integrated circuits and devices, swtiching, PLC, fiber devices, waveguide analysis, and others 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OPE 
会議コード 2012-01-EMT-PN-LQE-OPE-MWP-EST-EMT 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Development of half-cladding semiconductor laser structure for light-wave transmission near the surface field 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 半導体レーザ / Semiconductor laser  
キーワード(2)(和/英) 近赤外光源 / Near-infrared light source  
キーワード(3)(和/英) 光波制御 / Control of light wave properties  
キーワード(4)(和/英) 半導体表面微細構造 / Micro-structured semiconductor surface  
キーワード(5)(和/英) 光情報通信 / Optical communication  
キーワード(6)(和/英) センシング / Sensing  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 村上 大介 / Daisuke Murakami / ムラカミ ダイスケ
第1著者 所属(和/英) 東京電機大学 (略称: 東京電機大)
Tokyo Denki University (略称: TDU)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 安田 真爾 / Shinji Yasuda / ヤスダ シンジ
第2著者 所属(和/英) 東京電機大学 (略称: 東京電機大)
Tokyo Denki University (略称: TDU)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉岡 佑毅 / Yuki Yoshioka / ヨシオカ ユウキ
第3著者 所属(和/英) 東京電機大学 (略称: 東京電機大)
Tokyo Denki University (略称: TDU)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 直克 / Naokatsu Yamamoto / ヤマモト ナオカツ
第4著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤羽 浩一 / Kouichi Akahane / アカハネ コウイチ
第5著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 川西 哲也 / Tetsuya Kawanishi / カワニシ テツヤ
第6著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 高井 裕司 / Hiroshi Takai / タカイ ヒロシ
第7著者 所属(和/英) 東京電機大学 (略称: 東京電機大)
Tokyo Denki University (略称: TDU)
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講演者
発表日時 2012-01-26 10:20:00 
発表時間 25 
申込先研究会 OPE 
資料番号 IEICE-PN2011-46,IEICE-OPE2011-162,IEICE-LQE2011-148,IEICE-EST2011-96,IEICE-MWP2011-64 
巻番号(vol) IEICE-111 
号番号(no) no.412(PN), no.413(OPE), no.414(LQE), no.415(EST), no.416(MWP) 
ページ範囲 pp.91-94 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-PN-2012-01-19,IEICE-OPE-2012-01-19,IEICE-LQE-2012-01-19,IEICE-EST-2012-01-19,IEICE-MWP-2012-01-19 


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