講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-01-19 15:15
スピンポンピングを用いたp型Siへの室温スピン注入とスピン輸送 ○久保和樹・仕幸英治(阪大)・安藤和也・斎藤英治(東北大)・新庄輝也・白石誠司(阪大) MR2011-36 エレソ技報アーカイブへのリンク:MR2011-36 |
抄録 |
(和) |
Siは結晶の反転対称性が良いことに起因してスピン軌道相互作用が小さく、半導体材料の中でもスピンコヒーレンスがよい。これまでにn型Siにおいて電気的スピン注入及び室温スピン輸送が報告されているが、p型Siでの室温報告はない。Siを用いたスピンデバイスの開発にはp型Siでの室温スピン輸送の実証と物性解明が必要である。本研究では、従来の電気的手法とは異なり、ダイナミカルな手法であるスピンポンピング法を用いたスピン注入技術による純スピン流生成および、固体中の相対論的効果である逆スピンホール効果によるスピン検出技術を用いることにより、p型Siにおける室温スピン注入とスピン輸送の実証に初めて成功した。 |
(英) |
Since the spin-orbit interaction in Si is essentially small due to the good crystalline symmetry, Si-based functional devices using the spin degree of freedom is recognized to be promising with respect to the spin coherence. Whereas spin transport at room temperature (RT) in n-type Si has been reported by using an electrical method, spin transport in p-type Si has not been experimentally realized, which is an important and unexplored milestone in spintronics. In this study, the spin transport in p-type Si at RT was demonstrated by using a dynamical method so-called spin-pumping. |
キーワード |
(和) |
スピントロニクス / スピンポンピング / 逆スピンホール効果 / スピン注入 / スピン輸送 / / / |
(英) |
Spintronics / Spin-pumping / Inverse spin-Hall effect / Spin-injection / Spin-transport / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, 2012年1月. |
資料番号 |
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発行日 |
2012-01-12 (MR) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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