講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-01-12 12:50
微細AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に与えるバッファ層内不純物とフィールドプレートの影響の解析 ○小野寺 啓・中島 敦・堀尾和重(芝浦工大) ED2011-133 MW2011-156 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2011-133 MW2011-156 |
抄録 |
(和) |
ゲート長やゲート・ドレイン間距離が比較的短いフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTの2次元数値解析を行い,耐圧特性について検討した.その結果,バッファ層内のアクセプタ濃度が高い場合,耐圧はキャリアの衝突イオン化により決まり,フィールドプレート長増加と共に耐圧は逆に低下することが示された.これはフィールドプレート端とドレイン間距離が短くなり,そこの電界が非常に高くなるためである.一方,バッファ層内アクセプタ濃度が低い場合,バッファ層リーク電流が非常に大きくなってこれが耐圧を決め,耐圧は非常に低くなることが示された.この場合,フィールドプレート長増加と共に耐圧は増大した. |
(英) |
In this work, we perform two-dimensional analysis of breakdown characteristics in field-plate AlGaN/GaN HEMTs with a short gate length and a short gate-to-drain distance. It is shown that when an acceptor density in a buffer layer is high, the breakdown voltage is determined by impact ionization of carriers, and it can decrease with increasing the field-plate length. On the other hand, when the acceptor density in the buffer layer is low, the buffer leakage current becomes very large and this can determine the breakdown voltage, which becomes very low. In this case, the breakdown voltage increases with increasing the field-plate length. |
キーワード |
(和) |
GaN / HEMT / フィールドプレート / 耐圧 / バッファトラップ / 2次元解析 / / |
(英) |
GaN / HEMT / field plate / breakdown voltage / buffer trap / two-dimensional analysis / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 373, ED2011-133, pp. 81-85, 2012年1月. |
資料番号 |
ED2011-133 |
発行日 |
2012-01-04 (ED, MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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