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| 講演名 | 2012-01-12 10:10 InGaAs MOSFETにおけるソース充電時間の検討 ○宮本恭幸・山田真之・内田 建（東工大）  ED2011-129 MW2011-152 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-129 MW2011-152 |
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| 抄録 | （和） | MOSFETにおいてチャネル長縮小がすすむと電子はチャネル内をバリスティックに走行するため、電流量がソースとチャネルの間のポテンシャルのボトルネック部分で制御される。その状況ではソース充電時間はHBTのエミッタ充電時間と同じ概念が使える。最近HBTにおいてエミッタ電流密度が高くなると、電流の逆数とエミッタ充電時間の比例関係が成り立たなくなるモデルが報告されている。そこで本報告では、バリスティック性が強いと考えられるInGaAs MOSFETにおいて、高電流密度領域におけるソースの駆動能力について議論し、それに基づいてソース充電時間の電流密度依存性を推定した。ソース充電時間は、低電流密度領域においては電流密度の逆数に対して、あるオフセットを持って比例するが、高電流密度になるとオフセット成分は電子速度の上昇に伴い小さくなる。このオフセット成分は、有効質量の平方根に比例することから、有効質量の小さなInGaAs MOSFETでは、Si MOSFETに較べて充電時間が小さくなることが見積もれた。 |
| （英） | When ballistic transportation of electrons in the channel of MOSFET is realized by channel shrinkage, drain current is controlled by bottleneck of potential between source and the channel. In this situation, source charging time can be treated by similar manner for emitter charging time of heterojunction bipolar transistors (HBTs). Recently, it was reported that the proportional relationship between emitter charging time and inverse of current density was no more valid when emitter current density became high. In this report, by using InGaAs MOSFET for ballistic transportation of electron, source charging time is discussed based on relationship between current density and current drivability of the source. Linear relationship between the source charging time and inverse of current density has offset in low current density, while the offset is reduced at high current density by increase of injection velocity. As this offset is proportional to square root of effective mass, InGaAs MOSFET with smaller effective mass has smaller source charging time in comparison with Si MOSFET with larger effective mass. | |
| キーワード | （和） | ソース充電時間 / InGaAs MOSFET / バリスティック電子 / / / / / |
| （英） | Source charging time / InGaAs MOSFET / ballistic electron / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 373, ED2011-129, pp. 59-62, 2012年1月. | |
| 資料番号 | ED2011-129 | |
| 発行日 | 2012-01-04 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-129 MW2011-152 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-129 MW2011-152 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2012-01-11 - 2012-01-12 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | 化合物半導体デバイスおよび超高周波デバイス／一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2012-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | InGaAs MOSFETにおけるソース充電時間の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study of source charging time in InGaAs MOSFET |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ソース充電時間 / Source charging time |
| キーワード(2)（和/英） | InGaAs MOSFET / InGaAs MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | バリスティック電子 / ballistic electron |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮本 恭幸 / Yasuyuki Miyamoto / ミヤモト ヤスユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 真之 / Masayuki Yamada / ヤマダ マサユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内田 建 / Ken Uchida / ウチダ ケン |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-01-12 10:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-129, MW2011-152 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.373(ED), no.374(MW) |
| ページ範囲 | pp.59-62 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-01-04 (ED, MW) |
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