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| 講演名 | 2012-01-12 15:35 Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計 ○中澤敏志・鶴見直大・西嶋将明・按田義治・石田昌宏・上田哲三・田中 毅（パナソニック）  ED2011-139 MW2011-162 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-139 MW2011-162 |
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| 抄録 | （和） | Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力化および高利得化に向けてフィールドプレート構造を適用し、小信号RF特性から得られたデバイスパラメータを用いてその設計を行った。フィールドプレート長を0.6$\mu$mまで短縮することにより帰還容量を低減しつつ、ドレインバイアスの変化に対する出力インピーダンスの変動を抑制でき、その結果高出力と高利得を両立できることを見出した。この構造を用いることにより、動作周波数2.5GHz、ドレインバイアス50Vにおける連続動作において出力203W、線形利得16.9dBといずれも非常に高い値が得られた。本報告のAlGaN/GaN HFETは安価なSi基板上に形成されているため、携帯電話の基地局などのシステムの大幅な低コスト化が期待でき非常に有望である。 |
| （英） | We demonstrate high power AlGaN/GaN HFETs on Si substrates with output power of 203W with the linear gain of 16.9dB operated at 2.5GHz. The devices have field plate structures of which design is based on the device parameters extracted from the small signal RF performance. Shortening the field plate length down to 0.6$\mu$m suppresses the change of the output impedance by the variation of the drain voltage keeping low feedback capacitance, which results in the high output power with high linear gain. The presented AlGaN/GaN HFETs are very promising for various microwave applications such as cellular base stations, which would lower the system cost taking advantage of cost-effective Si substrates. | |
| キーワード | （和） | 電界効果トランジスタ / フィールドプレート / GaN / マイクロ波 / / / / |
| （英） | Field Effect Transistor / Field Plates / GaN / microwave power / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 373, ED2011-139, pp. 111-115, 2012年1月. | |
| 資料番号 | ED2011-139 | |
| 発行日 | 2012-01-04 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-139 MW2011-162 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-139 MW2011-162 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2012-01-11 - 2012-01-12 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | 化合物半導体デバイスおよび超高周波デバイス／一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2012-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Novel Field Plate Design for High-Power and High-Gain AlGaN/GaN HFETs on Si Substrates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電界効果トランジスタ / Field Effect Transistor |
| キーワード(2)（和/英） | フィールドプレート / Field Plates |
| キーワード(3)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(4)（和/英） | マイクロ波 / microwave power |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中澤 敏志 / Satoshi Nakazawa / ナカザワ サトシ |
| 第1著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鶴見 直大 / Naohiro Tsurumi / ツルミ ナオヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西嶋 将明 / Masaaki Nishijima / ニシジマ マサアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 按田 義治 / Yoshiharu Anda / アンダ ヨシハル |
| 第4著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石田 昌宏 / Masahiro Ishida / イシダ マサヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上田 哲三 / Tetsuzo Ueda / ウエダ テツゾウ |
| 第6著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 毅 / Tsuyoshi Tanaka / タナカ ツヨシ |
| 第7著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-01-12 15:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-139, MW2011-162 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.373(ED), no.374(MW) |
| ページ範囲 | pp.111-115 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-01-04 (ED, MW) |
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