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講演抄録/キーワード
講演名 2011-12-21 15:30
平滑化による形状記憶フィルム上への低電圧駆動有機トランジスタの作製
加藤 裕東大)・関谷 毅東大/JST)・横田知之栗原一徳東大)・Ute ZschieschangHagen Klaukマックス・プランク研)・山本達也瀧宮和男広島大)・池田征明桑原博一日本化薬)・染谷隆夫東大/JSTOME2011-70 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2011-70
抄録 (和) 我々は,熱で形状を記憶するフィルム上に低電圧駆動有機トランジスタを作製した.用いた形状記憶フィルムは150ºC以上に加熱することで加熱時の形状を記憶し,伸縮性回路等に応用することができる.形状記憶フィルムはRMS値190 nmと表面が粗いことが課題であったが,ポリイミドを用いて平滑化を行うことにより,移動度0.51 cm^2/Vsのp型有機トランジスタ,ゲイン92の有機CMOSインバータを得ることができた.更にパリレン平滑化層を加え,ゲート電極の陽極酸化を用いることで移動度1.8 cm^2/Vsのp型トランジスタを得ることができた. 
(英) We fabricated low operation voltage organic transistors on shape-memory film which memorizes its shape by applying heat more than 150ºC and can be applied to elastic circuits. Although this film had a problem of rough surface with RMS roughness of as large as 190 nm, we obtained p-type organic transistors with mobility of 0.51 cm^2/Vs and organic CMOS inverters with gain of 92 by forming a polyimide planarization layer. Furthermore, we obtained p-type transistors with mobility of 1.8 cm^2/Vs by adding a parylene planarization layer and using anodization process of gate electrodes.
キーワード (和) 有機トランジスタ / CMOSインバータ / 自己組織化単分子膜 / 平滑化 / / / /  
(英) Organic transistor / CMOS inverter / Self-Assembled Monolayer(SAM) / Planarization / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 369, OME2011-70, pp. 23-28, 2011年12月.
資料番号 OME2011-70 
発行日 2011-12-14 (OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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本技術報告は査読を経ていない技術報告であり,推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります.
PDFダウンロード OME2011-70 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2011-70

研究会情報
研究会 OME  
開催期間 2011-12-21 - 2011-12-21 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) センサー、デバイス、一般 
テーマ(英) Sensor, Device, etc 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OME 
会議コード 2011-12-OME 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 平滑化による形状記憶フィルム上への低電圧駆動有機トランジスタの作製 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Low Operation Voltage Organic Transistors on Shape-Memory Film with Planarization 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 有機トランジスタ / Organic transistor  
キーワード(2)(和/英) CMOSインバータ / CMOS inverter  
キーワード(3)(和/英) 自己組織化単分子膜 / Self-Assembled Monolayer(SAM)  
キーワード(4)(和/英) 平滑化 / Planarization  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 裕 / Yu Kato / カトウ ユウ
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 関谷 毅 / Tsuyoshi Sekitani / セキタニ ツヨシ
第2著者 所属(和/英) 東京大学/科学技術振興機構(JST)戦略的創造研究推進事業(ERATO) (略称: 東大/JST)
University of Tokyo/Exploratory Research for Advanced Technology (ERATO), Japan Science and Technology Agency (JST) (略称: Univ. of Tokyo/JST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 横田 知之 / Tomoyuki Yokota / ヨコタ トモユキ
第3著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 栗原 一徳 / Kazunori Kuribara / クリバラ カズノリ
第4著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) Ute Zschieschang / Ute Zschieschang /
第5著者 所属(和/英) マックスプランク研究所 (略称: マックス・プランク研)
Max Planck Institute for Solid State Research (略称: Max Planck Inst.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) Hagen Klauk / Hagen Klauk /
第6著者 所属(和/英) マックスプランク研究所 (略称: マックス・プランク研)
Max Planck Institute for Solid State Research (略称: Max Planck Inst.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 達也 / Tatsuya Yamamoto / ヤマモト タツヤ
第7著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 瀧宮 和男 / Kazuo Takimiya / タキミヤ カズオ
第8著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 池田 征明 / Masaaki Ikeda / イケダ マサアキ
第9著者 所属(和/英) 日本化薬 (略称: 日本化薬)
Nippon Kayaku (略称: Nippon Kayaku)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 桑原 博一 / Hirokazu Kuwabara / クワバラ ヒロカズ
第10著者 所属(和/英) 日本化薬 (略称: 日本化薬)
Nippon Kayaku (略称: Nippon Kayaku)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 染谷 隆夫 / Takao Someya / ソメヤ タカオ
第11著者 所属(和/英) 東京大学/科学技術振興機構(JST)戦略的創造研究推進事業(ERATO) (略称: 東大/JST)
University of Tokyo/Exploratory Research for Advanced Technology (ERATO), Japan Science and Technology Agency (JST) (略称: Univ. of Tokyo/JST)
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講演者
発表日時 2011-12-21 15:30:00 
発表時間 20 
申込先研究会 OME 
資料番号 IEICE-OME2011-70 
巻番号(vol) IEICE-111 
号番号(no) no.369 
ページ範囲 pp.23-28 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-OME-2011-12-14 


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