講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-12-21 15:30
平滑化による形状記憶フィルム上への低電圧駆動有機トランジスタの作製 ○加藤 裕(東大)・関谷 毅(東大/JST)・横田知之・栗原一徳(東大)・Ute Zschieschang・Hagen Klauk(マックス・プランク研)・山本達也・瀧宮和男(広島大)・池田征明・桑原博一(日本化薬)・染谷隆夫(東大/JST) OME2011-70 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2011-70 |
抄録 |
(和) |
我々は,熱で形状を記憶するフィルム上に低電圧駆動有機トランジスタを作製した.用いた形状記憶フィルムは150ºC以上に加熱することで加熱時の形状を記憶し,伸縮性回路等に応用することができる.形状記憶フィルムはRMS値190 nmと表面が粗いことが課題であったが,ポリイミドを用いて平滑化を行うことにより,移動度0.51 cm^2/Vsのp型有機トランジスタ,ゲイン92の有機CMOSインバータを得ることができた.更にパリレン平滑化層を加え,ゲート電極の陽極酸化を用いることで移動度1.8 cm^2/Vsのp型トランジスタを得ることができた. |
(英) |
We fabricated low operation voltage organic transistors on shape-memory film which memorizes its shape by applying heat more than 150ºC and can be applied to elastic circuits. Although this film had a problem of rough surface with RMS roughness of as large as 190 nm, we obtained p-type organic transistors with mobility of 0.51 cm^2/Vs and organic CMOS inverters with gain of 92 by forming a polyimide planarization layer. Furthermore, we obtained p-type transistors with mobility of 1.8 cm^2/Vs by adding a parylene planarization layer and using anodization process of gate electrodes. |
キーワード |
(和) |
有機トランジスタ / CMOSインバータ / 自己組織化単分子膜 / 平滑化 / / / / |
(英) |
Organic transistor / CMOS inverter / Self-Assembled Monolayer(SAM) / Planarization / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 369, OME2011-70, pp. 23-28, 2011年12月. |
資料番号 |
OME2011-70 |
発行日 |
2011-12-14 (OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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査読に ついて |
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