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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-12-16 11:00 接合終端構造の改良による15kV級SiC PiNダイオードの実現 ○丹羽弘樹・馮 淦・須田 淳・木本恒暢（京大）  SDM2011-135 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-135 |
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| 抄録 | （和） | 様々な接合終端構造を有する4H-SiC PiNダイオードを作製し、その耐圧特性を評価した。その結果two-zone JTEと独自の空間変調JTEを組み合わせることで耐圧15 kVを達成した。さらにこのような超高耐圧が得られるJTEドーズ量の幅が拡大し、JTEドーズ量の変化に対するロバスト性が向上した。また測定された耐圧のJTEドーズ量依存性はデバイスシミュレーションと比較して高ドーズ側へシフトすることがわかった。これは、酸化膜と半導体界面の電荷による実効的なJTEドーズ量の減少がにより説明できる。 |
| （英） | Breakdown characteristics of 4H-SiC PiN diodes with various JTE structures have been investigated. By combining two-zone JTE and Space-Modulated JTE (SM-JTE), a breakdown voltage over 15 kV have been achieved. This breakdown voltage corresponds to about 93 % of the parallel-plane breakdown voltage, which is fairly high for over 10 kV-class SiC diodes. The window of optimum JTE dose to obtain high breakdown voltage was widened, which indicates the robustness to the deviation of JTE dose. By comparing the JTE dose dependence of the breakdown voltage obtained from simulation and experimental results, impacts of the charge near the SiO$_2$/SiC interface are discussed. | |
| キーワード | （和） | 4H-SiC / PiNダイオード / 接合終端構造 / デバイスシミュレーション / 界面電荷 / / / |
| （英） | 4H-SiC / PiN diode / Junction Termination Extension (JTE) / Device Simulation / Interface charge / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 357, SDM2011-135, pp. 17-21, 2011年12月. | |
| 資料番号 | SDM2011-135 | |
| 発行日 | 2011-12-09 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-135 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-135 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2011-12-16 - 2011-12-16 |
| 開催地（和） | 奈良先端科学技術大学院大学 |
| 開催地（英） | NAIST |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Evaluation of Silicon related Materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 接合終端構造の改良による15kV級SiC PiNダイオードの実現 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Demonstration of 15 kV 4H-SiC PiN Diodes with Improved Junction Termination Structures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | PiNダイオード / PiN diode |
| キーワード(3)（和/英） | 接合終端構造 / Junction Termination Extension (JTE) |
| キーワード(4)（和/英） | デバイスシミュレーション / Device Simulation |
| キーワード(5)（和/英） | 界面電荷 / Interface charge |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 丹羽 弘樹 / Hiroki Niwa / ニワ ヒロキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 馮 淦 / Gan Feng / フェン ガン |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須田 淳 / Jun Suda / スダ ジュン |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木本 恒暢 / Tsunenobu Kimoto / キモト ツネノブ |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-12-16 11:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-135 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.357 |
| ページ範囲 | pp.17-21 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2011-12-09 (SDM) |
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