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講演抄録/キーワード
講演名 2011-12-16 10:00
ZnS系無機EL蛍光体の発光特性に対する高圧水蒸気熱処理による効果
紺谷拓哉谷口真央堀田昌宏奈良先端大)・田口信義イメージテック)・石河泰明浦岡行治奈良先端大SDM2011-132 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-132
抄録 (和) 硫化亜鉛(ZnS)等の?-?族半導体材料を用いた分散型無機ELは,照明や次世代ディスプレイへの応用が期待されている.スクリーン印刷で作製される分散型無機ELにおいて,発光層を形成する蛍光体の発光特性が重要となるが,蛍光体表面には発光失活となる欠陥が存在し,低減が課題となっている.そこで,蛍光体に対して高圧水蒸気 (HPV)熱処理の効果について検討を行った.特定条件でのHPV熱処理した蛍光体は,大気圧大気雰囲気において熱処理を行った蛍光体と比較して, PL強度が大きく,またELデバイスを作製した場合の発光輝度も大きかった.一方で,異なる条件下でのHPV熱処理を行った蛍光体では,PL強度およびELデバイス発光輝度の改善が見られなかった.ZnS蛍光体に対するHPV熱処理は,特定条件下において効果があり,適切な条件でHPV熱処理を行うことで,無機ELデバイスの輝度向上に繋がると考えられる. 
(英) ZnS-based inorganic EL has been widely studied for next generation display and illumination. In the inorganic EL devices, which are generally fabricated by screen printing methods, improvement of the luminescence property of ZnS phosphor is important. Passivation of surface defects is one of the key issues to suppress the non-radiative recombination at the surface of phosphors. In this study, we investigate the effect of High Pressure water Vapor annealing (HPV) on ZnS phosphor. For the phosphor annealed in HPV ambience under the specific conditions, the PL intensity was enhanced and the luminance of EL devices also became large. On the other hand, the PL intensity and the luminance of EL devices were not improved for HPV samples annealed under another condition. The HPV annealing under the specific condition is effective in ZnS phosphor, and it is expected that HPV annealing under the optimum condition leads to the improvement of luminance of EL devices.
キーワード (和) ZnS / 無機EL / 高圧水蒸気熱処理 / 微粒化 / 赤外線急速加熱 / 蛍光体 / /  
(英) ZnS / inorganic EL / high pressure water vapor annealing / atomization / infrared rapid thermal annealing / phosphor / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 357, SDM2011-132, pp. 1-5, 2011年12月.
資料番号 SDM2011-132 
発行日 2011-12-09 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2011-132 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-132

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2011-12-16 - 2011-12-16 
開催地(和) 奈良先端科学技術大学院大学 
開催地(英) NAIST 
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価 
テーマ(英) Fabrication and Evaluation of Silicon related Materials 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2011-12-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ZnS系無機EL蛍光体の発光特性に対する高圧水蒸気熱処理による効果 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Effect of High Pressure Water Vapor Annealing on the optical properties of ZnS-based inorganic EL phosphor 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ZnS / ZnS  
キーワード(2)(和/英) 無機EL / inorganic EL  
キーワード(3)(和/英) 高圧水蒸気熱処理 / high pressure water vapor annealing  
キーワード(4)(和/英) 微粒化 / atomization  
キーワード(5)(和/英) 赤外線急速加熱 / infrared rapid thermal annealing  
キーワード(6)(和/英) 蛍光体 / phosphor  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 紺谷 拓哉 / Takuya Kontani / コンタニ タクヤ
第1著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 谷口 真央 / Mao Taniguchi / タニグチ マオ
第2著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 堀田 昌宏 / Masahiro Horita / ホリタ マサヒロ
第3著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 田口 信義 / Nobuyoshi Taguchi / タグチ ノブヨシ
第4著者 所属(和/英) イメージテック (略称: イメージテック)
Image Tech Incorporated (略称: Image Tech Inc.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 石河 泰明 / Yasuaki Ishikawa / イシカワ ヤスアキ
第5著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル
第6著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2011-12-16 10:00:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2011-132 
巻番号(vol) vol.111 
号番号(no) no.357 
ページ範囲 pp.1-5 
ページ数
発行日 2011-12-09 (SDM) 


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