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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-12-16 16:00 軟X線源を用いた半導体薄膜の低温結晶化技術の開発 ○部家 彰・野々村勇希・木野翔太・松尾直人・天野 壮・宮本修治・神田一浩・望月孝晏（兵庫県立大）・都甲 薫・佐道泰造・宮尾正信（九大）  SDM2011-145 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-145 |
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| 抄録 | （和） | 結晶化が起こるには、結晶核形成と結晶粒成長の2つのプロセスを経る必要があるが、一般に結晶核形成には多くのエネルギーを必要とする。我々は軟X線照射により擬似的な結晶核を形成することで、半導体薄膜の低温結晶化を試みている。今回はa-Si膜とa-Ge膜の結晶化における軟X線照射の効果について検討した。Si膜とGe膜の結晶化温度は軟X線照射により680℃から580℃、500℃から420℃と低減した。この結晶化温度の低減は原子移動促進による擬似結晶核の形成によると考えられる。 |
| （英） | It is necessary two processes (crystal-nucleus formation and crystal grain growth) for crystallization. In general, the activation energy of crystal-nucleus formation is higher than that of grain growth. To realize low-temperature crystallization, we tried to form the quasi-nucleus by soft X-ray irradiation. In this study, the effects of soft X-ray irradiation on crystallization of a-Si and a-Ge films were investigated. The crystallization temperatures of a-Si film and a-Ge film were decreased from 680 °C to 580 °C and 500 °C to 420 °C by soft X-ray irradiation, respectively. The decrease in crystallization temperature is also related to enhancement of atomic migration and atoms transitioning into a quasi-nuclei phase in the films. | |
| キーワード | （和） | 軟X線源 / 低温結晶化 / 多結晶シリコン / 多結晶ゲルマニウム / 擬似結晶核 / / / |
| （英） | Soft X-ray source / Low-temperature crystallization / Polycrystalline silicon / Polycrystalline germanium / quesi-nucleus / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 357, SDM2011-145, pp. 71-76, 2011年12月. | |
| 資料番号 | SDM2011-145 | |
| 発行日 | 2011-12-09 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-145 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-145 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2011-12-16 - 2011-12-16 |
| 開催地（和） | 奈良先端科学技術大学院大学 |
| 開催地（英） | NAIST |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Evaluation of Silicon related Materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 軟X線源を用いた半導体薄膜の低温結晶化技術の開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of Low-Temperature Crystallization Method of Thin Film Semiconductor Using Soft X-ray Source |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 軟X線源 / Soft X-ray source |
| キーワード(2)（和/英） | 低温結晶化 / Low-temperature crystallization |
| キーワード(3)（和/英） | 多結晶シリコン / Polycrystalline silicon |
| キーワード(4)（和/英） | 多結晶ゲルマニウム / Polycrystalline germanium |
| キーワード(5)（和/英） | 擬似結晶核 / quesi-nucleus |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 部家 彰 / Akira Heya / ヘヤ アキラ |
| 第1著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ. Hyogo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野々村 勇希 / Yuki Nonomura / ノノムラ ユウキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ. Hyogo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木野 翔太 / Shota Kino / キノ ショウタ |
| 第3著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ. Hyogo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松尾 直人 / Naoto Matsuo / マツオ ナオト |
| 第4著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ. Hyogo) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天野 壮 / Sho Amano / アマノ ショウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 高度産業科学技術研究所 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： LASTI Univ. Hyogo) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮本 修治 / Shuji Miyamoto / ミヤモト シュウジ |
| 第6著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ. Hyogo) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 神田 一浩 / Kazuhiro Kanda / カンダ カズヒロ |
| 第7著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ. Hyogo) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 望月 孝晏 / Takayasu Mochizuki / モチヅキ タカヤス |
| 第8著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ. Hyogo) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 都甲 薫 / Kaoru Toko / トコウ カオル |
| 第9著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐道 泰造 / Taizoh Sadoh / サドウ タイゾウ |
| 第10著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮尾 正信 / Masanobu Miyao / ミヤオ マサノブ |
| 第11著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-12-16 16:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-145 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.357 |
| ページ範囲 | pp.71-76 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-12-09 (SDM) |
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