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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-12-15 16:30 MgO単結晶基板上におけるFePt，FePd，CoPt，およびCoPd合金薄膜のエピタキシャル成長 ○大竹 充・大内翔平（中大）・桐野文良（東京藝術大）・二本正昭（中大）  MR2011-31 エレソ技報アーカイブへのリンク：MR2011-31 |
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| 抄録 | （和） | 超高真空RFマグネトロンスパッタリング法によりMgO単結晶基板上にエピタキシャルFePt，FePd，CoPt，およびCoPd合金薄膜を形成し，膜材料，基板結晶方位，および基板温度が，膜成長，膜構造，および磁気特性に及ぼす影響について系統的に調べた．高い基板温度で形成したFePtおよびFePd膜に対して，MgO(001)，(110)，(111)のいずれの基板上においても，L10規則相が得られた．また，基板温度600 °CでMgO(001)，(110)基板上に形成したCoPt膜に対しても，L10規則相が形成された．これらの膜では，基板温度の上昇に伴い，L10相への規則化が進行した．L10相への規則度は膜材料により変化し，FePd > FePt > CoPtの順に高い規則度が得られた．MgO(001)基板上では，L10-FePd膜はc軸が基板面と垂直である(001)結晶から構成されているのに対し，L10-FePtおよびL10-CoPt膜は(001)結晶に加え，c軸が基板面と平行となった(100)結晶を含むことが分かった．MgO(110)基板上では，L10-FePtおよびL10-FePd膜はc軸が基板面と平行である(110)結晶とc軸が膜面垂直方向から約45°傾斜した(011)結晶の複合結晶膜であるのに対し，L10-CoPt膜は(110)結晶のみから構成された．MgO(111)基板上では，c軸が膜面垂直方向から約55°傾斜した(111)面が基板面と平行に配向したL10-FePtおよびL10-FePd膜がエピタキシャル成長した． MgO(111)基板上に形成したCoPt膜に対しては，準安定相であるL11規則相が得られた．基板温度を上昇に伴いL11相への規則化が促進されたが，基板温度が300 °Cを超えると規則度が減少した．CoPd膜に対しては，いずれの規則相も形成されなかった．磁気特性は，膜の結晶構造，結晶方位，および規則度により変化した． |
| （英） | FePt, FePd, CoPt, and CoPd alloy epitaxial films are prepared on MgO single-crystal substrates of (001), (110), and (111) orientations by ultra-high vacuum RF magnetron sputtering. The effects of film material, substrate orientation, and substrate temperature on the film growth, the film structure, and the magnetic properties are investigated. L10 ordered phase formation is observed for FePt and FePd films prepared on all the MgO substrates at elevated temperatures. L10 ordered CoPt epitaxial films are also obtained on MgO(001) and MgO(110) substrates heated at 600 °C. With increasing the substrate temperature, the L10 ordered phase formation is enhanced for these films. The degree of L10 ordering varies depending on the film material. A higher ordering parameter is observed in the order of FePd > FePt > CoPt. On MgO(001) substrates, the L10-FePd films consist of (001) crystals with the c-axis normal to the substrate surface, whereas the L10-FePt and the L10-CoPt films include (100) crystals whose c-axis is parallel to the substrate surface in addition to (001) crystals. On MgO(110) substrates, the L10-FePt and the L10-FePd films involve (110) and (011) crystals whose c-axes are respectively in-plane and about 45° canted from the perpendicular direction, while the L10-CoPt film consists of a (110) crystal. (111)-oriented L10-FePt and L10-FePd films with the c-axis about 55° canted from the perpendicular direction epitaxially grow on MgO(111) substrates with six variants. Metastable L11 ordered phase formation is recognized for CoPt films epitaxially grown on MgO(111) substrates. As the substrate temperature increases up to 300 °C, the L11 ordering degree increases. With further increasing the substrate temperature, the ordering degree declines. No ordered phases are recognized for CoPd films. The magnetic properties are influenced by the crystal structure, the film orientation, and the ordering degree. | |
| キーワード | （和） | FePt / FePd / CoPt / CoPd / L10規則相 / L11規則相 / 薄膜 / エピタキシャル成長 |
| （英） | FePt / FePd / CoPt / CoPd / L10 ordered phase / L11 ordered phase / thin film / epitaxial growth | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, 2011年12月. | |
| 資料番号 | ||
| 発行日 | 2011-12-08 (MR) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MR2011-31 エレソ技報アーカイブへのリンク：MR2011-31 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MRIS ITE-MMS |
| 開催期間 | 2011-12-15 - 2011-12-16 |
| 開催地（和） | 愛媛大学 |
| 開催地（英） | Ehime Univ. |
| テーマ（和） | 信号処理, 一般 |
| テーマ（英） | Signal Processing, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MRIS |
| 会議コード | 2011-12-MR-MMS |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MgO単結晶基板上におけるFePt，FePd，CoPt，およびCoPd合金薄膜のエピタキシャル成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Epitaxial Growth of FePt, FePd, CoPt, and CoPd Alloy Thin Films on MgO Single-Crystal Substrates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | FePt / FePt |
| キーワード(2)（和/英） | FePd / FePd |
| キーワード(3)（和/英） | CoPt / CoPt |
| キーワード(4)（和/英） | CoPd / CoPd |
| キーワード(5)（和/英） | L10規則相 / L10 ordered phase |
| キーワード(6)（和/英） | L11規則相 / L11 ordered phase |
| キーワード(7)（和/英） | 薄膜 / thin film |
| キーワード(8)（和/英） | エピタキシャル成長 / epitaxial growth |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大竹 充 / Mitsuru Ohtake / オオタケ ミツル |
| 第1著者 所属（和/英） | 中央大学理工学部 (略称： 中大) Faculty of Science and Engineering, Chuo University (略称： Chuo University) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大内 翔平 / Shouhei Ouchi / オオウチ ショウヘイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 中央大学理工学部 (略称： 中大) Faculty of Science and Engineering, Chuo University (略称： Chuo University) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 桐野 文良 / Fumiyoshi Kirino / キリノ フミヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京藝術大学大学院美術研究科 (略称： 東京藝術大) Graduate School of Fine Arts, Tokyo National University of Fine Arts and Music (略称： Tokyo National University of Fine Arts and Music) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 二本 正昭 / Masaaki Futamoto / フタモト マサアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 中央大学理工学部 (略称： 中大) Faculty of Science and Engineering, Chuo University (略称： Chuo University) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-12-15 16:30:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | MRIS |
| 資料番号 | MR2011-31 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.350 |
| ページ範囲 | pp.41-48 |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | 2011-12-08 (MR) |
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