電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2011-12-15 10:05
非対称二重回折格子状ゲート電極を有するInAlAs/InGaAs/InP HEMTを用いた超高感度プラズモニックテラヘルツ波検出器
谷本雄大Stephane Boubanga-Tombet渡辺隆之東北大)・Yuye Wang南出泰亜伊藤弘昌理研)・Denis FateevVyacheslav Popovロシア科学アカデミー)・Dominique CoquillatWojciech Knapモンペリエ第2大)・尾辻泰一東北大ED2011-110 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2011-110
抄録 (和) 非対称二重回折格子状ゲート電極を有する InAlAs/InGaAs/InP 高電子移動度トランジスタ(HEMT)が、テラヘルツ周波数帯電磁波検出器として優れた動作特性を有することを報告する。試作した当該素子は1 THzにおいて検出感度2.2 kV/W、等価雑音電力(NEP) 15 pW/Hz0.5を達成した。これは二重格子状ゲート構造と、非対称に配置した入れ子状ゲート電極により形成されるプラズモン共振器とがもたらす優れたカップリング効率と非線形検波応答能力によるものである。さらにドレイン・ソース間に直流バイアスを印加することで、検出感度が1.5 THzにおいて 5.8 kV/Wまで向上することを確認した。 
(英) We report on design fabrication and characterization of ultrahigh sensitive terahertz detectors based on asymmetric double-grating-gate InAlAs/InGaAs/InP high electron mobility transistors. We show that an excellent coupling efficiency and nonlinear rectification response to the terahertz radiation provided by the inter-digited metal gates combined with plasmon cavities obtained by asymmetrically positioning the gate fingers in the dual-gated structure allows the achievement of a record sensitivity of 2.2 kV/W and noise equivalent power of 15 pW/Hz0.5 at 1 THz. We also demonstrate strong improvement on responsivity to 5.8 kV/W even at 1.5 THz when a dc drain-source bias is applied.
キーワード (和) プラズモン / テラヘルツ / 検出 / 2次元電子ガス / 高電子移動度トランジスタ / / /  
(英) Plasmon / Terahertz / Detection / 2DEG / HEMT / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 338, ED2011-110, pp. 57-61, 2011年12月.
資料番号 ED2011-110 
発行日 2011-12-07 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2011-110 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2011-110

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2011-12-14 - 2011-12-15 
開催地(和) 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 
開催地(英) Tohoku University 
テーマ(和) ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム 
テーマ(英) Milimeter wave, terahertz device and systems 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2011-12-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 非対称二重回折格子状ゲート電極を有するInAlAs/InGaAs/InP HEMTを用いた超高感度プラズモニックテラヘルツ波検出器 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Ultrahigh Sensitive Plasmonic Terahertz Detector Based on Asymmetric Dual-Grating Gate InAlAs/InGaAs/InP HEMT 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) プラズモン / Plasmon  
キーワード(2)(和/英) テラヘルツ / Terahertz  
キーワード(3)(和/英) 検出 / Detection  
キーワード(4)(和/英) 2次元電子ガス / 2DEG  
キーワード(5)(和/英) 高電子移動度トランジスタ / HEMT  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 谷本 雄大 / Yudai Tanimoto / タニモト ユウダイ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) Stephane Boubanga-Tombet / Stephane Boubanga-Tombet /
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡辺 隆之 / Takayuki Watanabe / ワタナベ タカユキ
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) Yuye Wang / Yuye Wang /
第4著者 所属(和/英) 理化学研究所 (略称: 理研)
The Institute of Physical and Chemical Research (略称: RIKEN)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 南出 泰亜 / Hiroaki Minamide / ミナミデ ヒロアキ
第5著者 所属(和/英) 理化学研究所 (略称: 理研)
The Institute of Physical and Chemical Research (略称: RIKEN)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 弘昌 / Hiromasa Ito / イトウ ヒロマサ
第6著者 所属(和/英) 理化学研究所 (略称: 理研)
The Institute of Physical and Chemical Research (略称: RIKEN)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) Denis Fateev / Denis Fateev /
第7著者 所属(和/英) ロシア科学アカデミー (略称: ロシア科学アカデミー)
Russian academy of sciences (略称: RAS)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) Vyacheslav Popov / Vyacheslav Popov /
第8著者 所属(和/英) ロシア科学アカデミー (略称: ロシア科学アカデミー)
Russian academy of sciences (略称: RAS)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) Dominique Coquillat / Dominique Coquillat /
第9著者 所属(和/英) モンペリエ第2大学 - CNRS (略称: モンペリエ第2大)
Universite Montpellier 2 - CNRS (略称: Univ. Montpellie 2)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) Wojciech Knap / Wojciech Knap /
第10著者 所属(和/英) モンペリエ第2大学 - CNRS (略称: モンペリエ第2大)
Universite Montpellier 2 - CNRS (略称: Univ. Montpellie 2)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 尾辻 泰一 / Taiichi Otsuji / オツジ タイイチ
第11著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2011-12-15 10:05:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2011-110 
巻番号(vol) IEICE-111 
号番号(no) no.338 
ページ範囲 pp.57-61 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ED-2011-12-07 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会