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講演抄録/キーワード
講演名 2011-12-15 16:10
[ポスター講演]3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速Vpass(10V)生成、15%低消費電力Vpgm(20V)生成、ワイドレンジ電圧生成システム
畑中輝義竹内 健東大ICD2011-117 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2011-117
抄録 (和) 3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向けの電源回路として、10 V~20 Vを出力するワイドレンジ電圧生成システムを提案する。SSDの書き込み時に必要な電圧/負荷は、10 V / 1 nF、20 V / 100 pFなど電圧・負荷ともに広範囲である。本研究では、高電圧・低電圧NANDフラッシュプロセスとスタンダードCMOSプロセスを組み合わせることで、VPASSブーストコンバーターの10 V生成の高速化を実現した。また、VPGMブーストコンバーターの一定電流昇圧手法による消費エネルギー削減について議論する。 
(英) A wide output voltage range from 10 V to 20 V voltage generator system is proposed for 3D-SSDs. The circuits are fabricated with the smart mix and match of the standard CMOS, low voltage and high voltage NAND flash memory technologies. The measured rising time for VPASS, 10 V, is four times shorter. The power consumption for VPGM, 20 V, decreases by 15%. As a result, the SSD performance increases by 4 times.
キーワード (和) ソリッド・ステート・ドライブ / NANDフラッシュメモリー / ブーストコンバーター / / / / /  
(英) solid-state-drive / NAND flash memory / boost converter / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 352, ICD2011-117, pp. 81-86, 2011年12月.
資料番号 ICD2011-117 
発行日 2011-12-08 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2011-117 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2011-117

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2011-12-15 - 2011-12-16 
開催地(和) 大阪大学会館 
開催地(英)  
テーマ(和) 学生・若手技術者育成のための研究会 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2011-12-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速Vpass(10V)生成、15%低消費電力Vpgm(20V)生成、ワイドレンジ電圧生成システム 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) 4-Times Faster Rising Vpass (10V), 15% Lower Power Vpgm (20V), Wide Output Voltage Range Voltage Generator System for 4-Times Faster 3D-integrated Solid-State Drives 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ソリッド・ステート・ドライブ / solid-state-drive  
キーワード(2)(和/英) NANDフラッシュメモリー / NAND flash memory  
キーワード(3)(和/英) ブーストコンバーター / boost converter  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 畑中 輝義 / Teruyoshi Hatanaka / ハタナカ テルヨシ
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Tokyo Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン
第2著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Tokyo Univ.)
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講演者
発表日時 2011-12-15 16:10:00 
発表時間 110 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2011-117 
巻番号(vol) IEICE-111 
号番号(no) no.352 
ページ範囲 pp.81-86 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ICD-2011-12-08 


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