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| 講演名 | 2011-12-14 14:05 薄層AlGaN障壁層を有するAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタの小信号および30 GHzパワー特性 ～ AlGaN障壁層薄層化の影響 ～ ○東脇正高（NICT/JST）・Yi Pei・Rongming Chu・Umesh K. Mishra（カリフォルニア大サンタ・バーバラ校）  ED2011-102 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-102 |
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| 抄録 | （和） | ミリ波応用を念頭においた、非常に薄いAlGaN障壁層を有する短ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造トランジスタ(HFET)を作製し、そのデバイス特性を評価した。作製したデバイスは非常に高いDCおよびRF小信号特性を示したにも関わらず、30 GHzにおけるパワー特性はあまり良いものでは無かった。また、パルス{$I$}--{$V$}測定に見られるカレントコラプスの振る舞いは一般的なものとは異なるものであった。これらの結果から、今回観察された非常に薄いAlGaN障壁層を有するGaN HFETの場合に起こる特徴的なデバイス特性の周波数分散は、二次元電子ガスチャネルにおいて高電界中で加速されることにより生成される、ホットエレクトロンによる界面準位へのチャージングが原因であると考えられる。 |
| （英） | Short-gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors (HFETs) with extremely thin AlGaN barrier layers were fabricated and characterized from the viewpoint of millimeter-wave applications. The devices showed good DC and RF small-signal characteristics; however, the 30 GHz power characteristics were degraded. The dispersive behavior of the thin-barrier devices measured in pulse {$I$}--{$V$} curves was different from the commonly observed one. We consider from these results that the unique dispersion of the thin-barrier HFETs was caused by the different charging path related to hot electrons accelerated in a high electric field region of a two-dimensional electron gas channel. | |
| キーワード | （和） | GaN / ヘテロ構造トランジスタ (HFET) / ミリ波 / 周波数分散 / / / / |
| （英） | GaN / heterostructure field-effect transistor (HFET) / millimeter-wave / frequency dispersion / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 338, ED2011-102, pp. 13-17, 2011年12月. | |
| 資料番号 | ED2011-102 | |
| 発行日 | 2011-12-07 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-102 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-102 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2011-12-14 - 2011-12-15 |
| 開催地（和） | 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 |
| 開催地（英） | Tohoku University |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | Milimeter wave, terahertz device and systems |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2011-12-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 薄層AlGaN障壁層を有するAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタの小信号および30 GHzパワー特性 |
| サブタイトル（和） | AlGaN障壁層薄層化の影響 |
| タイトル（英） | Small-signal and 30 GHz power characteristics of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors with thin AlGaN barrier layers |
| サブタイトル（英） | Effects of AlGaN barrier thinning |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ヘテロ構造トランジスタ (HFET) / heterostructure field-effect transistor (HFET) |
| キーワード(3)（和/英） | ミリ波 / millimeter-wave |
| キーワード(4)（和/英） | 周波数分散 / frequency dispersion |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 東脇 正高 / Masataka Higashiwaki / |
| 第1著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構/科学技術振興機構さきがけ (略称： NICT/JST) National Institute of Information and Communications Technology/PRESTO, Japan Science and Technology Agency (略称： NICT/JST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Yi Pei / Yi Pei / |
| 第2著者 所属（和/英） | カリフォルニア大学サンタ・バーバラ校 (略称： カリフォルニア大サンタ・バーバラ校) University of California, Santa Barbara (略称： UCSB) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Rongming Chu / Rongming Chu / |
| 第3著者 所属（和/英） | カリフォルニア大学サンタ・バーバラ校 (略称： カリフォルニア大サンタ・バーバラ校) University of California, Santa Barbara (略称： UCSB) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | Umesh K. Mishra / Umesh K. Mishra / |
| 第4著者 所属（和/英） | カリフォルニア大学サンタ・バーバラ校 (略称： カリフォルニア大サンタ・バーバラ校) University of California, Santa Barbara (略称： UCSB) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-12-14 14:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-102 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.338 |
| ページ範囲 | pp.13-17 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2011-12-07 (ED) |
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