講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-11-25 13:30
高効率低ひずみ独立バイアス形カスコードGaN HEMT電力増幅器 石川 亮・○高山洋一郎・本城和彦(電通大) MW2011-121 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2011-121 |
抄録 |
(和) |
微細化が進むトランジスタ技術の高周波高出力化・広帯域化のためにトランジスタのカスコード回路が用いられている.著者らはトランジスタの接続点にバイアス回路を設けて各々のトランジスタの動作点を設定して設計の自由度を上げて特性の改善を図る手法を提案している.本報告では,GaN HEMTを用いて実際に電力増幅器を製作評価を行い良好な効率及びひずみ特性を実現したのでその結果を報告する. |
(英) |
A 1.9GHz cascode power amplifier consisting of independently biased AlGaN/GaN HEMTs was designed and fabricated for the purpose of realizing high-efficiency and low distortion amplification characteristics. The input and output circuits consisted of capacitors and inductors, and fundamental and second harmonic source and load impedances were matched to improve power efficiency. Drain and gate bias voltages of two FETs were selected for high efficiency and low distortion performances. |
キーワード |
(和) |
マイクロ波増幅器 / カスコード回路 / 電力増幅器 / GaN HEMT / / / / |
(英) |
microwave amplifier / cascode circuit / power amplifier / GaN HEMT / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 313, MW2011-121, pp. 47-52, 2011年11月. |
資料番号 |
MW2011-121 |
発行日 |
2011-11-17 (MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
MW2011-121 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2011-121 |
研究会情報 |
研究会 |
MW |
開催期間 |
2011-11-24 - 2011-11-25 |
開催地(和) |
与那国島(久部良多目的集会施設) |
開催地(英) |
|
テーマ(和) |
マイクロ波一般 |
テーマ(英) |
Microwave Technologies |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
MW |
会議コード |
2011-11-MW |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
高効率低ひずみ独立バイアス形カスコードGaN HEMT電力増幅器 |
サブタイトル(和) |
|
タイトル(英) |
High efficiency, low distortion GaN HEMT cascode power amplifier consisting of independently biased transistors |
サブタイトル(英) |
|
キーワード(1)(和/英) |
マイクロ波増幅器 / microwave amplifier |
キーワード(2)(和/英) |
カスコード回路 / cascode circuit |
キーワード(3)(和/英) |
電力増幅器 / power amplifier |
キーワード(4)(和/英) |
GaN HEMT / GaN HEMT |
キーワード(5)(和/英) |
/ |
キーワード(6)(和/英) |
/ |
キーワード(7)(和/英) |
/ |
キーワード(8)(和/英) |
/ |
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
石川 亮 / Ryo Ishikawa / イシカワ リョウ |
第1著者 所属(和/英) |
電気通信大学 (略称: 電通大)
University of Electro-Communications (略称: UEC) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
高山 洋一郎 / Yoichiro Takayama / タカヤマ ヨウイチロウ |
第2著者 所属(和/英) |
電気通信大学 (略称: 電通大)
University of Electro-Communications (略称: UEC) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
本城 和彦 / Kazuhiko Honjo / ホンジョウ カズヒコ |
第3著者 所属(和/英) |
電気通信大学 (略称: 電通大)
University of Electro-Communications (略称: UEC) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第4著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第5著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第6著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第7著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第8著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第9著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第10著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第11著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第12著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第13著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第14著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第15著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第16著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第17著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第18著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第19著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第20著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
講演者 |
第2著者 |
発表日時 |
2011-11-25 13:30:00 |
発表時間 |
30分 |
申込先研究会 |
MW |
資料番号 |
MW2011-121 |
巻番号(vol) |
vol.111 |
号番号(no) |
no.313 |
ページ範囲 |
pp.47-52 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2011-11-17 (MW) |