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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-11-18 14:15 MOCVD法によるsapphire上への(Si)(Ga)AlC(P)薄膜の成長 ○大西裕也・堀江郁哉・酒井士郎（徳島大）  ED2011-96 CPM2011-145 LQE2011-119 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-96 CPM2011-145 LQE2011-119 |
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| 抄録 | （和） | 有機金属気相成長(MOCVD)法を用い，Sapphire基板上にトリメチルアルミニウム(Al(CH3)3)，メタン(CH4)，を供給し，1100℃以上で反応させることで，アルミニウムカーバイド(Al4C3)の薄膜が成長した．このAl4C3を基に，ホモ接合の作製のためにSi，Pによるドーピングを行った．続いてヘテロ構造の作製のためにガリウムカーバイド(GaC)という新たな材料をAl4C3上に作製した． |
| （英） | Al4C3 film was grown by MOCVD by supplying TMA, CH4 on sapphire. Si and P were supplied to make it to dope to n-type. The P-inclusion makes CL to increase. The new GaC was grown to MOCVD by adding TMG to make a hetero-structure. The growth condition was summarized. | |
| キーワード | （和） | AlC / Al4C3 / GaC / MOCVD / / / / |
| （英） | AlC / Al4C3 / GaC / MOCVD / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 292, LQE2011-119, pp. 117-120, 2011年11月. | |
| 資料番号 | LQE2011-119 | |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-96 CPM2011-145 LQE2011-119 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-96 CPM2011-145 LQE2011-119 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2011-11-17 - 2011-11-18 |
| 開催地（和） | 京都大学桂キャンパス 桂ホール |
| 開催地（英） | Katsura Hall，Kyoto Univ. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2011-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOCVD法によるsapphire上への(Si)(Ga)AlC(P)薄膜の成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of (Si)(Ga)AlC(P) thin film on sapphire by metal organic chemical vapor deposition |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlC / AlC |
| キーワード(2)（和/英） | Al4C3 / Al4C3 |
| キーワード(3)（和/英） | GaC / GaC |
| キーワード(4)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大西 裕也 / Yuya Ohnishi / オオニシ ユウヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 徳島大学 (略称： 徳島大) The University of Tokushima (略称： Tokushimadai) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堀江 郁哉 / Fumiya Horie / ホリエ フミヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 徳島大学 (略称： 徳島大) The University of Tokushima (略称： Tokushimadai) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 酒井 士郎 / Shiro Sakai / サカイ シロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 徳島大学 (略称： 徳島大) The University of Tokushima (略称： Tokushimadai) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-11-18 14:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2011-96, CPM2011-145, LQE2011-119 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.290(ED), no.291(CPM), no.292(LQE) |
| ページ範囲 | pp.117-120 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) |
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