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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-11-18 15:30 GaN系THz帯量子カスケードレーザ構造の作製と自然放出光の観察 ○寺嶋 亘・平山秀樹（理研）  ED2011-99 CPM2011-148 LQE2011-122 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-99 CPM2011-148 LQE2011-122 |
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| 抄録 | （和） | 我々はテラヘルツ帯量子カスケードレーザ(THz-QCL)における未踏周波数領域5-12 THz帯の開拓と動作温度の高温化を目指して、III族窒化物半導体を用いたTHz-QCLの開発を行っている。今回、RF-MBE成長において熱処理による液滴除去(DETA)法を用いたGaN/AlGaN 系QCL構造を作製し、その構造及び発光特性を評価した。その結果、DETA法を適用することでQC構造の多周期化が可能になり、かつ構造特性が改善することが分かった。また、この方法を用いて作製したTHz-QCL構造の電流注入において、1.4~2.8 THzのサブバンド間遷移による自然放出光スペクトルの観察に初めて成功した。 |
| （英） | We study on terahertz-quantum cascade lasers (THz-QCLs) using III-Nitride semiconductors, for the realization of the unexplored frequency range 5-12 THz and the higher temperature operation on THz-QCLs. In this study, we fabricated GaN/AlGaN based QCL structures using a droplet elimination by thermal annealing (DETA) technique, and analyzed the structural and electroluminescence properties. We found that DETA is a useful technique which makes it possible not only to increase the number of periods in the QC structure, but also to improve the structural properties of the QC structure. Further, we successfully for the first time observed spontaneous electroluminescence due to intersubband transition with peaks at frequencies from 1.4 to 2.8 THz on the THz-QCL structures fabricated with using the DETA technique. | |
| キーワード | （和） | テラヘルツ / 量子カスケードレーザ / GaN/AlGaN / サブバンド遷移発光 / / / / |
| （英） | Terahertz / Quantum cascade laser / GaN/AlGaN / Intersubband transition electroluminescence / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 292, LQE2011-122, pp. 131-134, 2011年11月. | |
| 資料番号 | LQE2011-122 | |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-99 CPM2011-148 LQE2011-122 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-99 CPM2011-148 LQE2011-122 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2011-11-17 - 2011-11-18 |
| 開催地（和） | 京都大学桂キャンパス 桂ホール |
| 開催地（英） | Katsura Hall，Kyoto Univ. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2011-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaN系THz帯量子カスケードレーザ構造の作製と自然放出光の観察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of GaN based Terahertz-Quantum Cascade Laser Structure and Observation of Spontaneous Emission |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | テラヘルツ / Terahertz |
| キーワード(2)（和/英） | 量子カスケードレーザ / Quantum cascade laser |
| キーワード(3)（和/英） | GaN/AlGaN / GaN/AlGaN |
| キーワード(4)（和/英） | サブバンド遷移発光 / Intersubband transition electroluminescence |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寺嶋 亘 / Wataru Terashima / テラシマ ワタル |
| 第1著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 理研) RIKEN (略称： RIKEN) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平山 秀樹 / Hideki Hirayama / ヒラヤマ ヒデキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 理研) RIKEN (略称： RIKEN) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-11-18 15:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2011-99, CPM2011-148, LQE2011-122 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.290(ED), no.291(CPM), no.292(LQE) |
| ページ範囲 | pp.131-134 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) |
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