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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-11-17 13:20 ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価 ○金 聖植・堀 祐臣・谷田部然治・橋詰 保（北大）  ED2011-78 CPM2011-127 LQE2011-101 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-78 CPM2011-127 LQE2011-101 |
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| 抄録 | （和） | ドライエッチングしたGaNおよびAlGaN表面に形成したMOS構造の評価を行った。ドライエッチングには、CH4/H2/N2/ArガスによるECR支援プラズマ法とCl2/BCl3ガスによるICP支援プラズマ法を用いた。ドライエッチング後は表面の化学結合状態が乱れ、その後のMOS構造形成により、1x1012cm-2eV-1以上の密度の界面準位が生成されることが明らかになった。特にECR支援プラズマプロセス試料では高密度の界面準位が観測された。400℃の熱処理により界面特性は回復し、ICP支援プラズマプロセス試料では、5x1011 cm-2eV-1程度まで密度が低減した。一方、AlGaN/GaN構造のAlGaN表面をエッチングした場合、アニール後でも1x1012cm-2eV-1以上のMOS界面準位が観測された。 |
| （英） | We have investigated impacts of dry etching of GaN and AlGaN surfaces on interface properties of GaN-based MOS structures. For the dry etching, we used ECR-assisted plasma with CH4/H2/N2/Ar gas mixture and ICP-assisted plasma with Cl2/BCl3 gas mixture. Both processes induced the disorder of chemical bonds at the GaN surface, causing high-density of electronic states at Al2O3/GaN interfaces. A post-annealing process at 400 C is effective in decreasing interface state densities, e.g., 5x1011 cm-2eV-1 for the ICP-processed MOS sample. On the other hand, the interface state densities with 1x1012 cm-2eV-1 or higher remained at the ICP-processed Al2O3/AlGaN interface even after the post-annealing process. | |
| キーワード | （和） | ドライエッチング / ICP / ECR / MOS / GaN / AlGaN / Al2O3 / 界面準位 |
| （英） | dry etching / ICP / ECR / MOS / GaN / AlGaN / Al2O3 / interface state | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 290, ED2011-78, pp. 25-28, 2011年11月. | |
| 資料番号 | ED2011-78 | |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-78 CPM2011-127 LQE2011-101 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-78 CPM2011-127 LQE2011-101 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2011-11-17 - 2011-11-18 |
| 開催地（和） | 京都大学桂キャンパス 桂ホール |
| 開催地（英） | Katsura Hall，Kyoto Univ. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2011-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Interface characterization of MOS structures fabricated on dry-etched GaN and AlGaN |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ドライエッチング / dry etching |
| キーワード(2)（和/英） | ICP / ICP |
| キーワード(3)（和/英） | ECR / ECR |
| キーワード(4)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(5)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(6)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(7)（和/英） | Al2O3 / Al2O3 |
| キーワード(8)（和/英） | 界面準位 / interface state |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金 聖植 / Sungsik Kim / キム ソンシク |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堀 祐臣 / Yujin Hori / ホリ ユウジン |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷田部 然治 / Zenji Yatabe / ヤタベ ゼンジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume / ハシヅメ タモツ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-11-17 13:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-78, CPM2011-127, LQE2011-101 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.290(ED), no.291(CPM), no.292(LQE) |
| ページ範囲 | pp.25-28 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) |
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