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講演抄録/キーワード
講演名 2011-11-17 10:05
分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長
菊地諒介奥村宏典木本恒暢須田 淳京大ED2011-73 CPM2011-122 LQE2011-96 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2011-73 CPM2011-122 LQE2011-96
抄録 (和) 本研究室ではこれまで、SiC基板のステップ高さ制御、AlN層成長直前のGa先行照射を行い、窒素プラズマ点灯と同時に成長を開始することで、成長開始直後からのAlNのlayer-by-layer成長と貫通転位密度の低減を実現した。そこで、本研究ではこの高品質AlN成長プロセスを応用して、SiC基板上にAlN/GaN短周期超格子(SPSL)構造の成長を試みた。SPSL層中のAlN層とGaN層の膜厚はそれぞれ12 bilayer (BL)、2 BLとした。AlN/GaN SPSL層のXRC半値幅は、(0002)面が34.2秒、(10-12)面が37.9秒と非常に優れた値であった。逆格子マッピング測定を行ったところ、AlN/GaN SPSL層がSiC基板に対してコヒーレントに成長していることが確認された。格子緩和していないために高品質の結晶が得られたと考えている。 
(英) Recently, we have successfully reduced the threading dislocation density in AlN layer on SiC substrates to 10$^8$ cm$^{-2}$ by controlling the step heights of the SiC substrates, Ga pre-deposition and avoiding unintentional active-nitrogen exposure prior to AlN growth. In this study, we report the growth of AlN/GaN short-period superlattice (SPSL) on SiC by applying the high-quality AlN growth process. We demonstrate coherent growth of AlN/GaN SPSL on SiC substrates. Thicknesses of AlN and GaN in the SPSL were 12 bilayer (BL) and 2 BL, respectively. The FWHM values of main peak for the AlN/GaN SPSL were 34.2 arcsec for the (0002) ω-scan and 37.9 arcsec for the (10$\bar{1}$2) ω-scan. A RSM near (1 1 $\bar{2}$ 12) reflection of 6H-SiC clearly indicates that AlN/GaN SPSL was coherently grown on 6H-SiC. The very small FHWM values reflect coherent growth of AlN/GaN SPSL on 6H-SiC substrate.
キーワード (和) AlN / GaN / 分子線エピタキシ法 / 短周期超格子 / コヒーレント成長 / / /  
(英) AlN / GaN / Molecular-beam epitaxy / Short-period superlattice / Coherent growth / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 290, ED2011-73, pp. 1-4, 2011年11月.
資料番号 ED2011-73 
発行日 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2011-73 CPM2011-122 LQE2011-96 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2011-73 CPM2011-122 LQE2011-96

研究会情報
研究会 LQE ED CPM  
開催期間 2011-11-17 - 2011-11-18 
開催地(和) 京都大学桂キャンパス 桂ホール 
開催地(英) Katsura Hall,Kyoto Univ. 
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2011-11-LQE-ED-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) AlN/GaN Short-Period Superlattice Coherently Grown on 6H-SiC (0001) Substrates by Molecular-Beam Epitaxy 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) AlN / AlN  
キーワード(2)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(3)(和/英) 分子線エピタキシ法 / Molecular-beam epitaxy  
キーワード(4)(和/英) 短周期超格子 / Short-period superlattice  
キーワード(5)(和/英) コヒーレント成長 / Coherent growth  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 菊地 諒介 / Ryosuke Kikuchi / キクチ リョウスケ
第1著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 奥村 宏典 / Hironori Okumura / オクムラ ヒロノリ
第2著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 木本 恒暢 / Tsunenobu Kimoto / キモト ツネノブ
第3著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 須田 淳 / Jun Suda / スダ ジュン
第4著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2011-11-17 10:05:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2011-73, CPM2011-122, LQE2011-96 
巻番号(vol) vol.111 
号番号(no) no.290(ED), no.291(CPM), no.292(LQE) 
ページ範囲 pp.1-4 
ページ数
発行日 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) 


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