講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-11-17 14:10
GaN系MISダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価 ○岩田康宏・久保俊晴・江川孝志(名工大) ED2011-80 CPM2011-129 LQE2011-103 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2011-80 CPM2011-129 LQE2011-103 |
抄録 |
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キーワード |
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文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 290, ED2011-80, pp. 35-38, 2011年11月. |
資料番号 |
ED2011-80 |
発行日 |
2011-11-10 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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研究会情報 |
研究会 |
LQE ED CPM |
開催期間 |
2011-11-17 - 2011-11-18 |
開催地(和) |
京都大学桂キャンパス 桂ホール |
開催地(英) |
Katsura Hall,Kyoto Univ. |
テーマ(和) |
窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般 |
テーマ(英) |
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講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ED |
会議コード |
2011-11-LQE-ED-CPM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
GaN系MISダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Characterization of insulators and interfaces in GaN-based MIS-diodes |
サブタイトル(英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
岩田 康宏 / Yasuhiro Iwata / イワタ ヤスヒロ |
第1著者 所属(和/英) |
名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NITech) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
久保 俊晴 / Toshiharu Kubo / クボ トシハル |
第2著者 所属(和/英) |
名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NITech) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ |
第3著者 所属(和/英) |
名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NITech) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2011-11-17 14:10:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
ED |
資料番号 |
ED2011-80, CPM2011-129, LQE2011-103 |
巻番号(vol) |
vol.111 |
号番号(no) |
no.290(ED), no.291(CPM), no.292(LQE) |
ページ範囲 |
pp.35-38 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2011-11-10 (ED, CPM, LQE) |
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