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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-11-17 13:45 AlInN/AlN/GaNヘテロ接合における高温での表面障壁高さの低下 ○ハサン タンビル・徳田博邦・葛原正明（福井大）  ED2011-79 CPM2011-128 LQE2011-102 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-79 CPM2011-128 LQE2011-102 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | This paper describes the temperature dependent two dimensional electron gas (2DEG) properties in AlInN/AlN/GaN heterostructures. Hall mobility (μH) and 2DEG density (ns) have been measured from 77 up to 973 K, where the atmospheric condition is changed as measured in vacuum and air. The μH decreases monotonically with increasing the temperature. It is found that the high temperature mobility is not only governed by the polar optical phonon scattering but also the acoustic phonon (deformation potential and piezoelectric) and interface roughness scatterings play a role. There was no significant difference observed in μH for changing the atmospheric condition. The characteristic feature is observed in ns that it is almost constant up to around 540 K, and shows sudden increase at higher temperatures when measured in the vacuum, while it is almost constant measured in the air. The surface barrier lowering originated from the decomposition of the surface oxide layer on AlInN is proposed as the most probable mechanism for the increase in ns. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | AlInN/GaN / heterostructure / 2DEG / Surface barrier height / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 290, ED2011-79, pp. 29-33, 2011年11月. | |
| 資料番号 | ED2011-79 | |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-79 CPM2011-128 LQE2011-102 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-79 CPM2011-128 LQE2011-102 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2011-11-17 - 2011-11-18 |
| 開催地（和） | 京都大学桂キャンパス 桂ホール |
| 開催地（英） | Katsura Hall，Kyoto Univ. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2011-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | AlInN/AlN/GaNヘテロ接合における高温での表面障壁高さの低下 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Surface Barrier Height Lowering at Above 540 K in AlInN/AlN/GaN Heterostructures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / AlInN/GaN |
| キーワード(2)（和/英） | / heterostructure |
| キーワード(3)（和/英） | / 2DEG |
| キーワード(4)（和/英） | / Surface barrier height |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | ハサン タンビル / Md. Tanvir Hasan / ハサン タンビル |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 徳田 博邦 / Hirokuni Tokuda / トクダ ヒロクニ |
| 第2著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 葛原 正明 / Masaaki Kuzuhara / クズハラ マサアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-11-17 13:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-79, CPM2011-128, LQE2011-102 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.290(ED), no.291(CPM), no.292(LQE) |
| ページ範囲 | pp.29-33 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) |
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