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講演抄録/キーワード
講演名 2011-10-28 13:50
寄生インピーダンスの共振に起因するIC電源系高周波電流ピークのダンピング抵抗挿入による低減
矢野佑典五百旗頭健吾豊田啓孝岡山大EMCJ2011-84
抄録 (和) 電源系パターンに寄生容量が存在すると,デカップリングキャパシタや電源ラインのESLと共振を起こし,PDNの直流電源側に流れ出る高周波電流が増加する.
本報告では,この問題について述べ,対策法としてダンピング抵抗の配置と適切な値の算出法について検討し,電源系高周波電流の低減効果をシミュレーションした.その結果,デカップリングインダクタと並列もしくは寄生容量と直列にダンピング抵抗を挿入することで,PI性能を悪化させずに,寄生インピーダンスに起因する高周波電流のピークを低減できることを示した.
また,汎用ロジックICを搭載した基板を用いて電源系高周波電流および電源バウンスを測定し,その効果を確認した. 
(英) High-frequency current caused by simultaneous switching of digital gates which leaks toward the DC power supply into the power distribution network (PDN) increases when parasitic capacitance, cause a resonance with equivalent series inductances (ESL) of the decoupling capacitors and power-supply lines. The resonance of parasitic impedance cause a sharp peak of the RF power current.
In this report, we discussed possible locations of dumping resistor that decrease the current peak and derived optimal dumping resistances from the critical dumping condition of resonance.
To verify the effect of dumping resistor insertion, we calculated reductance of the RF power current by a circuit simulation.
Results showed that RF power current peak due to the parasitic impedance reduced with the dumping resistors parallel to the decoupling inductor or series to the parasitic capacitance.
The results of circuit simulation also showed that the insertion of dumping resistors make no deterioration in power integrity (PI).
Furthermore, the effects of dumping resistor insertion were demonstrated by using a printed circuit board on which a oscillation circuit composed of a general-purpose inverter IC and a crystal oscillator were mounted, measuring the RF power current and power bounce of the inverter IC.
キーワード (和) EMC / IC / 電源系回路 / 寄生インピーダンス / IC電源系高周波電流 / ダンピング抵抗 / /  
(英) EMC / IC / Power Distribution Network / Parasitic Impedance / IC Power RF Current / Dumping Resistor / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 269, EMCJ2011-84, pp. 29-34, 2011年10月.
資料番号 EMCJ2011-84 
発行日 2011-10-21 (EMCJ) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EMCJ2011-84

研究会情報
研究会 EMCJ IEE-EMC  
開催期間 2011-10-28 - 2011-10-28 
開催地(和) 八戸グランドホテル 
開催地(英) Hachinohe Grand Hotel 
テーマ(和) 放電, EMC, 一般 
テーマ(英) Discharge, EMC, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 EMCJ 
会議コード 2011-10-EMCJ-EMC 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 寄生インピーダンスの共振に起因するIC電源系高周波電流ピークのダンピング抵抗挿入による低減 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Insertion of Dumping Resistor to Reduce RF IC-Power-Current Peak Caused by Resonance due to Parasitic Impedance 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) EMC / EMC  
キーワード(2)(和/英) IC / IC  
キーワード(3)(和/英) 電源系回路 / Power Distribution Network  
キーワード(4)(和/英) 寄生インピーダンス / Parasitic Impedance  
キーワード(5)(和/英) IC電源系高周波電流 / IC Power RF Current  
キーワード(6)(和/英) ダンピング抵抗 / Dumping Resistor  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 矢野 佑典 / Yusuke Yano / ヤノ ユウスケ
第1著者 所属(和/英) 岡山大学 (略称: 岡山大)
Okayama University (略称: Okayama Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 五百旗頭 健吾 / Kengo Iokibe / イオキベ ケンゴ
第2著者 所属(和/英) 岡山大学 (略称: 岡山大)
Okayama University (略称: Okayama Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 豊田 啓孝 / Yoshitaka Toyota / トヨタ ヨシタカ
第3著者 所属(和/英) 岡山大学 (略称: 岡山大)
Okayama University (略称: Okayama Univ.)
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講演者
発表日時 2011-10-28 13:50:00 
発表時間 25 
申込先研究会 EMCJ 
資料番号 IEICE-EMCJ2011-84 
巻番号(vol) IEICE-111 
号番号(no) no.269 
ページ範囲 pp.29-34 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-EMCJ-2011-10-21 


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