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講演抄録/キーワード
講演名 2011-10-27 10:20
MOVPE法によるSi(111)基板上への中間組成InGaN膜の成長
三原章宏杉田憲一Ashraful G. Bhuiyan橋本明弘山本あき勇福井大)・渡邉則之重川直輝NTTCPM2011-120 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2011-120
抄録 (和) InGaN/Siタンデム太陽電池では、InGaNのIn組成が0.45の場合、両サブセルの電流整合が実現されるとともに、n-InGaNとp-Siとの間で不純物の高濃度添加なしにトンネル接合が形成されることが予想されている。我々は、そのような利点を生かしたInGaN/Si構造タンデム太陽電池の実現をねらいとして、Si(111)基板上へのInGaN膜のMOVPE成長を検討した。その結果、TMI/(TMI+TGE)供給モル比ならびに成長温度の最適化によりIn組成0~0.49のInGaN単結晶膜成長を実現した。 
(英) This paper reports on the MOVPE growth of InxGa1-xN with x up to ~0.49 on AlN/Si(111) substrates. Single-crystalline InxGa1-xN films with x up to ~0.49 are successfully grown on Si(111) substrates without phase separation and metallic In incorporation by changing the growth temperature and TMI/(TMI+TEG) molar ratio. These works will allow us towards the fabrication of the future InGaN-Si tandem cell using MOVPE.
キーワード (和) InGaN / Si(111) / MOVPE / / / / /  
(英) InGaN / Si(111) / MOVPE / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 264, CPM2011-120, pp. 55-58, 2011年10月.
資料番号 CPM2011-120 
発行日 2011-10-19 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2011-120 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2011-120

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2011-10-26 - 2011-10-27 
開催地(和) 福井大学 産学官連携本部研修室 
開催地(英) Fukui Univ. 
テーマ(和) 薄膜プロセス・材料,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2011-10-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) MOVPE法によるSi(111)基板上への中間組成InGaN膜の成長 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) MOVPE growth of InGaN on Si(111) substrates with an intermediate range of In content 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) InGaN / InGaN  
キーワード(2)(和/英) Si(111) / Si(111)  
キーワード(3)(和/英) MOVPE / MOVPE  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 三原 章宏 / Akihiro Mihara / ミハラ アキヒロ
第1著者 所属(和/英) 福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Univ. of Fukui)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 杉田 憲一 / Kenichi Sugita / スギタ ケンイチ
第2著者 所属(和/英) 福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Univ. of Fukui)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) Ashraful G. Bhuiyan / Ashraful G. Bhuiyan /
第3著者 所属(和/英) 福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Univ. of Fukui)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 橋本 明弘 / Akihiro Hashimoto / ハシモト アキヒロ
第4著者 所属(和/英) 福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Univ. of Fukui)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 あき勇 / Akio Yamamoto / ヤマモト アキオ
第5著者 所属(和/英) 福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Univ. of Fukui)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡邉 則之 / Noriyuki Watanabe / ワタナベ ノリユキ
第6著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTT Photonics Labs.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 重川 直輝 / Naoteru Shigekawa / シゲカワ ナオテル
第7著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTT Photonics Labs.)
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講演者
発表日時 2011-10-27 10:20:00 
発表時間 25 
申込先研究会 CPM 
資料番号 IEICE-CPM2011-120 
巻番号(vol) IEICE-111 
号番号(no) no.264 
ページ範囲 pp.55-58 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-CPM-2011-10-19 


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