講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-10-27 10:45
NH3分解触媒を用いたInNのMOVPE成長 ○廣長大造・杉田憲一・A.g. Bhuiyan・橋本明弘・山本あき勇(福井大) CPM2011-121 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2011-121 |
抄録 |
(和) |
NH3 を窒素源とするInNのMOVPE成長において、NH3の分解率向上のためにPt触媒の導入を提案し検討した。Pt触媒の導入によって、InN膜の電気的特性ならびに結晶学的特性が向上することを確認した。電気的特性では電子移動度1340cm2/Vsを得た。結晶学的特性では8.63 arcminのTilt値を実現した。また、InN膜の厚膜化による電気的特性ならびに結晶学的特性の向上を確認した。 |
(英) |
In order to increase the NH3 decomposition rate in the MOVPE growth of InN, the employment of Pt catalyst has been proposed and experimentally demonstrated. Electrical and crystallographic properties of InN are markedly improved by using Pt catalyst. An electron mobility as high as 1340 cm2/Vs and a tilt fluctuation as low as 8.63 arcmin have been obtained for InN films grown with Pt catalyst. The improvements of electrical and crystallographic properties of InN with increasing grown InN thickness have been also found. |
キーワード |
(和) |
MOVPE / InN / NH3 / / / / / |
(英) |
MOVPE / InN / NH3 / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 264, CPM2011-121, pp. 59-62, 2011年10月. |
資料番号 |
CPM2011-121 |
発行日 |
2011-10-19 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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