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講演抄録/キーワード
講演名 2011-10-27 09:30
SiCコーティングしたグラファイト触媒を用いたSiC薄膜の作製
坂口優也牛草遼平周 澤宇山上朋彦阿部克也信州大CPM2011-118 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2011-118
抄録 (和) SiCコーティンググラファイト触媒を用いたHW-CVD法により、p-Si(001)及びガラス基板上へのSiC薄膜の低温形成を試みた。
原料ガスをSiH$_3$CH$_3$、希釈ガスをH$_2$とし、SiCコーティンググラファイト触媒温度、基板設定温度、水素希釈比、成長圧力の各依存性について調査した。
その結果、250℃という低基板温度においてアモルファスSiC膜を得ることに成功した。
また、成長圧力依存性の調査結果から成長圧力が高くなるに従って薄膜の組成がSiリッチとなることがわかり、ストイキオメトリーなSiC薄膜を形成するには低圧成長が望ましいとわかった。 
(英) Silicon carbide films were prepared on p-Si(001) and glass substrates by hot-wire chemical vapor deposition
using graphite filaments coated with SiC and a gas mixture of SiH$_3$CH$_3$ and H$_2$ at low substrate temperature.
The dependences on filament temperature, substrate temperature, hydrogen dilution ratio and growth pressure
were investigated. The amorphous SiC films were successfully obtained at a low substrate temperature of 250℃.
It was found from the growth pressure dependence that the higher growth pressure resulted in Si rich films.
The results indicated the requirement of the low growth pressure for depositing stoichiometric SiC films.
キーワード (和) シリコンカーバイド / HW-CVD法 / グラファイト触媒 / 低温形成 / / / /  
(英) SiC / HW-CVD / graphite filament / low temperature growth / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 264, CPM2011-118, pp. 47-50, 2011年10月.
資料番号 CPM2011-118 
発行日 2011-10-19 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2011-118 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2011-118

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2011-10-26 - 2011-10-27 
開催地(和) 福井大学 産学官連携本部研修室 
開催地(英) Fukui Univ. 
テーマ(和) 薄膜プロセス・材料,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2011-10-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SiCコーティングしたグラファイト触媒を用いたSiC薄膜の作製 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Growth of SiC films by HW-CVD using graphite filaments coated with SiC 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) シリコンカーバイド / SiC  
キーワード(2)(和/英) HW-CVD法 / HW-CVD  
キーワード(3)(和/英) グラファイト触媒 / graphite filament  
キーワード(4)(和/英) 低温形成 / low temperature growth  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 坂口 優也 / Yuya Sakaguchi / サカグチ ユウヤ
第1著者 所属(和/英) 信州大学 (略称: 信州大)
Shinshu University (略称: Shinshu Univ)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 牛草 遼平 / Ryohei Ushikusa / ウシクサ リョウヘイ
第2著者 所属(和/英) 信州大学 (略称: 信州大)
Shinshu University (略称: Shinshu Univ)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 周 澤宇 / Takuu Syu / シュウ タクウ
第3著者 所属(和/英) 信州大学 (略称: 信州大)
Shinshu University (略称: Shinshu Univ)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 山上 朋彦 / Tomohiko Yamakami / ヤマカミ トモヒコ
第4著者 所属(和/英) 信州大学 (略称: 信州大)
Shinshu University (略称: Shinshu Univ)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 阿部 克也 / Katsuya Abe / アベ カツヤ
第5著者 所属(和/英) 信州大学 (略称: 信州大)
Shinshu University (略称: Shinshu Univ)
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講演者
発表日時 2011-10-27 09:30:00 
発表時間 25 
申込先研究会 CPM 
資料番号 IEICE-CPM2011-118 
巻番号(vol) IEICE-111 
号番号(no) no.264 
ページ範囲 pp.47-50 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-CPM-2011-10-19 


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