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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-10-21 13:10 ［招待講演］実験融合マルチレベルコンピュータ化学手法の開発とシリコン材料・デバイスへの応用 ○宮本 明・南雲 亮・三浦隆治・鈴木 愛・坪井秀行・畠山 望・高羽洋充・小澤純夫（東北大）  SDM2011-109 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-109 |
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| 抄録 | （和） | コンピュータの進歩とともに、永年実験的研究が主体であったもの造りの分野でも、新しい化学、コンピュータ化学が生まれてきている。それを、産業革新のための新しい学問、強力な手法にまで育むことが重要である。原子・分子レベルの計算手法に加え、メソ・マクロレベルのシミュレータを開発することにより、製品レベルの予測も可能となる。さらに、電気伝導、熱伝導、摩擦・機械強度、発光・吸光、化学反応、電気化学反応、光化学反応、プラズマ反応などマルチフィジックスシミュレーション手法を開発することにより、多彩な産業分野への応用、産学連携の道が拓ける。本講演では、半導体、エレクトロニクス分野への応用を紹介する。 |
| （英） | Computational chemistry is a new area of chemistry which has been created by a significant advance in theoretical chemistry and computer technology. By developing mesoscopic and macroscopic simulators in addition to atomistic and electronic simulators, multi-scale simulations of industrial products and processes can be performed. Development of multi-physics simulators such as chemical reaction dynamics, electrical conductivity, diffusions of ions and molecules, thermal conductivity, tribology, promotes the application of the simulators to a variety of industrial targets. In the present lecture results of applications to semiconductors and electronics are described including the mechanism of silicon oxidation to form Si-SiO2 interface. | |
| キーワード | （和） | コンピュータ化学 / シリコン半導体 / シミュレーション / シリコン酸化膜 / / / / |
| （英） | computational chemistry / silicon semiconductor / simulation / silicon oxide formation mechanism / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 249, SDM2011-109, pp. 67-72, 2011年10月. | |
| 資料番号 | SDM2011-109 | |
| 発行日 | 2011-10-13 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-109 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-109 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2011-10-20 - 2011-10-21 |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. (Niche) |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process science and new process technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 実験融合マルチレベルコンピュータ化学手法の開発とシリコン材料・デバイスへの応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Experiment-Integrated Multi-scale, Multi-physics Computational Chemistry Methods for Silicon-Materials and Devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | コンピュータ化学 / computational chemistry |
| キーワード(2)（和/英） | シリコン半導体 / silicon semiconductor |
| キーワード(3)（和/英） | シミュレーション / simulation |
| キーワード(4)（和/英） | シリコン酸化膜 / silicon oxide formation mechanism |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮本 明 / Akira Miyamoto / ミヤモト アキラ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 南雲 亮 / Ryo Nagumo / ナグモ リョウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三浦 隆治 / Ryuji Miura / ミウラ リュウジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 愛 / Ai Suzuki / スズキ アイ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坪井 秀行 / Hideyuki Tsuboi / ツボイ ヒデユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 畠山 望 / Nozomu Hatakeyama / ハタケヤマ ノゾム |
| 第6著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高羽 洋充 / Hiromitsu Takaba / タカバ ヒロミツ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小澤 純夫 / Sumio Kozawa / コザワ スミオ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-10-21 13:10:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-109 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.249 |
| ページ範囲 | pp.67-72 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-10-13 (SDM) |
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