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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-10-21 09:25 PINダイオード容量補償シリーズ型2段構成SPDT高周波スイッチ ○高橋健作・坂上岩太・岡村信吾・王 小龍・田原 稔（富山大）  MW2011-101 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2011-101 |
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| 抄録 | （和） | PINダイオード容量の補償を考慮した2段構成シリーズ型SPDT高周波スイッチを製作した．高周波スイッチは無線通信機器で使用され，低挿入損・高アイソレーションが求められる．PINダイオードを用いて高周波スイッチを製作する場合，良好な特性を得るためにはPINダイオード容量の影響を考慮する必要がある．本研究では，PINダイオード容量を伝送線路によって補償した高周波スイッチを製作した．測定の結果，2.5GHzにおいて，0.5dB以下の挿入損，45dB以上のアイソレーションが得られ，シミュレーションとの一致も良好であった． |
| （英） | High-frequency switches can be used in wireless communication equipments where low insertion loss and high isolation are required. In fabricating high frequency switches with PIN diodes, an effect due to the PIN diode reverse-biased capacitance needs to be considered in order to obtain a good performance. In this study, a two-stage series SPDT high frequency switch considering the capacitance compensation is presented by introducing a transmission-line parallel to a PIN diode. In a measurement, an insertion loss less than 0.5dB, isolation more than 45dB and a good agreement with simulation at 2.5GHz were obtained. | |
| キーワード | （和） | 高周波スイッチ / SPDT / PINダイオード / TDD / RFフロントエンド / / / |
| （英） | High-frequency switches / SPDT / PIN diodes / TDD / RF front end / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 250, MW2011-101, pp. 83-88, 2011年10月. | |
| 資料番号 | MW2011-101 | |
| 発行日 | 2011-10-13 (MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2011-101 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2011-101 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2011-10-20 - 2011-10-21 |
| 開催地（和） | 電気通信大学 |
| 開催地（英） | The University of Electro-Communications |
| テーマ（和） | 学生研究会／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2011-10-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | PINダイオード容量補償シリーズ型2段構成SPDT高周波スイッチ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Capacitance Compensated Two-Stage Series PIN Diode SPDT High Frequency Switch |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高周波スイッチ / High-frequency switches |
| キーワード(2)（和/英） | SPDT / SPDT |
| キーワード(3)（和/英） | PINダイオード / PIN diodes |
| キーワード(4)（和/英） | TDD / TDD |
| キーワード(5)（和/英） | RFフロントエンド / RF front end |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 健作 / Kensaku Takahashi / タカハシ ケンサク |
| 第1著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂上 岩太 / Iwata Sakagami / サカガミ イワタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡村 信吾 / Shingo Okamura / オカムラ シンゴ |
| 第3著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 王 小龍 / Xiaolong Wang / オウ ショウリュウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田原 稔 / Minoru Tahara / タハラ ミノル |
| 第5著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-10-21 09:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2011-101 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.250 |
| ページ範囲 | pp.83-88 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-10-13 (MW) |
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