講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-10-21 15:25
高純度有機金属ガス供給システムに関する研究 ○山下 哲・石井秀和・志波良信・北野真史・白井泰雪・須川成利・大見忠弘(東北大) SDM2011-112 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-112 |
抄録 |
(和) |
半導体製造プロセスにおいてプロセスガスの流量制御は基板表面におけるガス組成やチャンバ圧力を決定する重要なファクターである。有機金属(MO)ガスを使用する化合物半導体製造プロセスにおいてもプロセスの信頼性や膜質の向上を実現するためにはMOガスそのものの流量制御を行うシステムを構築することが必要である。そこで、高温に対応した圧力調整式流量制御器(FCS)を開発することによって、蒸気圧を上昇させたMOガスの流量制御を行い、MOガスの組成を高精度に制御することが可能となった。また、MOガス供給系を縮小し、MO材料への熱履歴を残さないことを目的とした液体材料気化供給システム(LSCS)を開発し、必要な量だけのMO材料を気化させ、流量制御を行うシステムが完成した。 |
(英) |
The gas flow control is important factor that influenced to the concentration of process gas and the pressure of process chamber. In composite semiconductor manufacturing process that using metal organic (MO) gases, the flow control system that controls the flow rate of MO gas must be established to improve the film performance and reliability of film formation process. So, flow control system based on pressure measurement (FCS) for high temperature was developed and it is possible to control the flow rate of MO gases. Also, the concentration of MO gas was controlled with great accuracy. Furthermore, liquid source control system (LSCS) was developed for the purpose of reduction of MO gas distribution system area and thermal history. And the system that MO material only the quantity needed was vaporized and control the flow rate of MO gas was developed. |
キーワード |
(和) |
有機金属ガス / MOCVD / 流量制御器 / / / / / |
(英) |
metal organic gas / MOCVD / flow control system / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 249, SDM2011-112, pp. 85-90, 2011年10月. |
資料番号 |
SDM2011-112 |
発行日 |
2011-10-13 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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