講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-10-21 14:00
[招待講演]物理的プラズマダメージによるMOSFETバラツキ増大予測のための包括モデル ○江利口浩二・中久保義則・松田朝彦・鷹尾祥典・斧 高一(京大) SDM2011-110 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-110 |
抄録 |
(和) |
プロセスプラズマからのイオン衝撃による物理的プラズマダメージが,デバイス特性に及ぼす影響について詳細に考察した.イオンの入射エネルギー(Eion),シリコン基板表面に形成されるダメージ層構造,ダメージ層除去に伴うシリコンロス,シリコンロスに伴うデバイス特性変動(Vth),の定量的相関を示すプラズマダメージモデルを報告する.さらに,本モデルに基づいたデバイス特性バラツキを予測するためのモデルを示すとともに,典型的な例に対しての計算結果を議論する.プラズマダメージによるデバイス特性バラツキは,将来のデバイス設計では無視できない要素になると予測される. |
(英) |
We investigated the effects of plasma process-induced physical damage (bombardment of ions) on MOSFET performance degradation. We focus on “Si recess” in the source / drain extension region – Si loss by a subsequent wet-etch of the damaged-layer formed during plasma etch processes. We present a model describing the relationship between the energy of incident ion, Si recess depth dR, and the threshold voltage shift Vth of MOSFET. Based on the analytic model, we then propose a unified framework for predicting the MOSFET parameter fluctuation induced by the plasma process damage. The model prediction suggests an increase in Vth-variation by Si recess structure (dR). We also estimate an enhancement of the subthreshold leakage-current fluctuation by the Si recess structure. |
キーワード |
(和) |
プラズマダメージ / ,Siリセス / しきい値電圧変化 / サブスレッショルドリーク / バラツキ / / / |
(英) |
Plasma-Induced Damage / Si recess / Threshold Voltage Shift / Subthreshold Leakage / Parameter Fluctuation / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 249, SDM2011-110, pp. 73-78, 2011年10月. |
資料番号 |
SDM2011-110 |
発行日 |
2011-10-13 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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