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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-10-21 10:50 AR-XPSによる種々の表面処理したIn0.53Ga0.47As表面の化学結合状態の評価 ○沼尻侑也・山下晃司・小松 新（東京都市大）・ザデ ダリューシュ・角嶋邦之・岩井 洋（東工大）・野平博司（東京都市大）  SDM2011-106 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-106 |
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| 抄録 | （和） | 我々はHF，自然酸化，(NH4)2S，またはHMDS(Hexamethydisilazane)という表面処理がIn0.53Ga0.47As表面の化学結合状態に及ぼす影響について角度分解光電子分光法を用いて調べた．測定光電子はAs 3d，Ga 3p，In 3d，S 2p，Si 2p，O 1s，C 1sであり，光電子の脱出角度は11°から90°である．その結果，(NH4)2S処理は表面の酸化を抑制するのに効果があり，またSがIn0.53Ga0.47As表面に存在していること、一方，HMDS処理は，表面の酸化を抑制できないことを明らかにした． |
| （英） | We have investigated the effect of HF, HF + air exposure, (NH4)2S and Hexamethydisilazane treatments on the chemical bonding states at the In0.53Ga0.47As surface by X-ray photoemission spectroscopy. Analyses of As 3d, Ga 3p, In 3d, S 1s, and Si 2p spectra showed that (NH4)2S treatment was effective in suppressing oxide formation on the In0.53Ga0.47As surface and that S atom existed on the In0.53Ga0.47As surface. In contrast, Hexamethydisilazane treatment was not effective in suppressing oxide formation. | |
| キーワード | （和） | InGaAs / 表面処理 / XPS / (NH4)2S / / / / |
| （英） | InGaAs / suface Treatment / XPS / (NH4)2S / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 249, SDM2011-106, pp. 53-58, 2011年10月. | |
| 資料番号 | SDM2011-106 | |
| 発行日 | 2011-10-13 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-106 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-106 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2011-10-20 - 2011-10-21 |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. (Niche) |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process science and new process technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AR-XPSによる種々の表面処理したIn0.53Ga0.47As表面の化学結合状態の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | AR-XPS Study on Chemical Bonding State of In0.53Ga0.47As Surface treated by Various Surface Treatments |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(2)（和/英） | 表面処理 / suface Treatment |
| キーワード(3)（和/英） | XPS / XPS |
| キーワード(4)（和/英） | (NH4)2S / (NH4)2S |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 沼尻 侑也 / Yuya Numajiri / ヌマジリ ユウヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京都市大学 (略称： 東京都市大) Tokyo City University (略称： Tokyo City Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山下 晃司 / Koji Yamashita / ヤマシタ コウジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京都市大学 (略称： 東京都市大) Tokyo City University (略称： Tokyo City Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小松 新 / Arata Komatsu / コマツ アラタ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京都市大学 (略称： 東京都市大) Tokyo City University (略称： Tokyo City Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | ザデ ダリューシュ / Darius Zade / ザデ ダリューシュ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学フロンティア研究機構 (略称： 東工大) Frontier Research Center Tokyo Institute of Technology (略称： FRC. Tokyo Inst. of Tech) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 角嶋 邦之 / Kuniyuki Kakushima / カクシマ クニユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学総合理工学研究科 (略称： 東工大) Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering Tokyo Institute of Technology (略称： IGSSE. Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩井 洋 / Hiroshi Iwai / イワイ ヒロシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京工業大学フロンティア研究機構 (略称： 東工大) Frontier Research Center Tokyo Institute of Technology (略称： FRC. Tokyo Inst. of Tech) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野平 博司 / Hiroshi Nohira / ノヒラ ヒロシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京都市大学 (略称： 東京都市大) Tokyo City University (略称： Tokyo City Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-10-21 10:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-106 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.249 |
| ページ範囲 | pp.53-58 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-10-13 (SDM) |
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