講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-10-20 14:20
埋め込み構造によるMOSFETにおけるランダム・テレグラフ・ノイズの低減 ○鈴木裕彌・黒田理人・寺本章伸・米澤彰浩・松岡弘章・中澤泰希・阿部健一・須川成利・大見忠弘(東北大) SDM2011-98 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-98 |
抄録 |
(和) |
ブロードチャネル構造によって,劇的なランダム・テレグラフ・ノイズ(RTN)の低減効果を得た.形成されるチャネルの位置をトラップから遠ざけ,チャネルを幅広く形成させることにより,トラップによるクーロン閉塞効果とチャネルパーコレーションを抑制することが,低ノイズ回路の実現につながるRTNの低減に非常に有効であることを見出した. |
(英) |
Drastic reduction of random telegraph noise (RTN) is demonstrated due to the broad channel MOSFET structure. We found that suppressing the channel percolation and the reducing the trap’s coulomb blockade effect by the channel broadness and the trap-channel distance separation are the keys to the RTN reduction, leading to the developments of low noise circuits. |
キーワード |
(和) |
RTN / MOSFET / 埋め込みチャネル / / / / / |
(英) |
RTN / MOSFET / Buried channel / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 249, SDM2011-98, pp. 5-9, 2011年10月. |
資料番号 |
SDM2011-98 |
発行日 |
2011-10-13 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2011-98 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-98 |