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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-10-20 15:20 Effect of Si surface roughness on electrical characteristics of HfON gate insulator ○Dae-Hee Han・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.）  SDM2011-100 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-100 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | In this paper, the effect of Si surface roughness on electrical characteristics of HfON gate insulator formed by the electron cyclotron resonance (ECR) plasma sputtering was investigated. In order to improve the electrical characteristics of HfON gate insulator, interface roughness between HfON and Si substrate should be reduced. The surface roughness of Si substrate was reduced by 1 μm-thick wet oxidation followed by the wet etching (HCl:HF=19:1). The obtained RMS roughness was 0.11 nm (as-cleaned: 0.21 nm). The HfON was formed by 1 nm-thick HfN deposition utilizing ECR plasma sputtering followed by the Ar/O2 plasma oxidation. The 600°C PDA was carried out for 1 min in N2 ambient. It was found that the leakage current was decreased from 2 x 10-3 A/cm2 to 3 x 10-4 A/cm2 at VFB -1 V by reducing the Si surface roughness. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | Surface roughness / HfON gate insulator / ECR plasma sputtering / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 249, SDM2011-100, pp. 17-20, 2011年10月. | |
| 資料番号 | SDM2011-100 | |
| 発行日 | 2011-10-13 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-100 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-100 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2011-10-20 - 2011-10-21 |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. (Niche) |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process science and new process technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-10-SDM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of Si surface roughness on electrical characteristics of HfON gate insulator |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Surface roughness |
| キーワード(2)（和/英） | / HfON gate insulator |
| キーワード(3)（和/英） | / ECR plasma sputtering |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 韓 大熙 / Dae-Hee Han / ハン デヒ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi / オオミ シュンイチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-10-20 15:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-100 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.249 |
| ページ範囲 | pp.17-20 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-10-13 (SDM) |
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