講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-10-12 13:25
SQUID共振を利用したサブミクロンAl接合容量の測定 菊池健人・守屋雅隆・島田 宏・○水柿義直(電通大) SCE2011-13 エレソ技報アーカイブへのリンク:SCE2011-13 |
抄録 |
(和) |
サブミクロンAl接合をもつデバイス作製にあたっては、接合容量をはじめ、抵抗やインダクタンスのデバイスパラメータを正確に決めることが必要である.そこで、このデバイスパラメータを1つのデバイスで実験的に求めることのできる電流注入型SQUIDを試作した.その結果、SQUIDの接合がもつ容量とインダクタンスによる共振ピークと臨界電流変調周期から、Al接合容量をはじめとするデバイスパラメータを求めることができた.今回の測定では54~170 fF/$\mu$m$^2$となり、過去の他の方法で求められたAl接合容量報告値と同様の結果を得ることが出来た. |
(英) |
It is necessary to extract the capacitances, resistances and inductances experimentally for fabrication sub-micron Al junction device. We have obtained these device parameters using SQUID resonance techniques with sub-micron Al junctions evaluated by means of direct current injections. The results of capacitance are 54~170 fF/$\mu$m$^2$. |
キーワード |
(和) |
超伝導体 / ジョセフソン効果 / SQUID / トンネル接合 / インダクタンス / 接合容量 / / |
(英) |
Superconductor / Josephson effects / SQUID / tunnel junction / inductance / capacitance / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 230, SCE2011-13, pp. 7-12, 2011年10月. |
資料番号 |
SCE2011-13 |
発行日 |
2011-10-05 (SCE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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