| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-10-12 14:15 プラズマ窒化AlNx障壁層を持つNbNトンネル接合の電気的特性改善 ○舩井辰則・内藤直生人・赤池宏之・藤巻 朗（名大）  SCE2011-15 エレソ技報アーカイブへのリンク：SCE2011-15 |
|
| 抄録 | （和） | 本誌では、プラズマ窒化AlNx障壁層を持つNbNトンネル接合における接合作製プロセス及び電気的特性改善について述べる。このNbNトンネル接合を高周波電磁波検出器に応用するためには、臨界電流密度Jc及びギャップ電圧Vgの向上が必要である。そこで本研究では、接合特性改善のため、NbNトンネル接合の上部電極堆積条件及び障壁層形成条件の検討を行った。その結果、接合上部NbN層の堆積条件の調整及び基板温度を上昇させることにより、Vgが0.6 mV向上し、5.0 mVの接合が得られた。また、Alのプラズマ窒化時のRF電力密度を変化させることより、Jcが最大で10.2 kA/cm2の接合が得られた。 |
| （英） | We present the fabrication process of NbN tunnel junctions with plasma-nitrided AlNx barriers and the electrical characteristics of the junctions. The application of the junctions to high frequency electromagnetic wave detectors requires increase in the critical current density Jc and the gap voltage Vg of the junctions. In this work, we examined the conditions of depositing a counter NbN layer and forming an AlNx barrier for the purpose of improving the characteristics of the junctions. As a result, the Vg was increased by 0.4 mV to 5.0 mV by adjusting the deposition conditions and by raising the substrate temperature during deposition of the counter NbN layer. On the other hand, the Jc up to 10.2 kA/cm2 was obtained by changing the RF power density for nitriding an Al layer. | |
| キーワード | （和） | プラズマ窒化 / AlNx / NbN / / / / / |
| （英） | Plasma-Nitridation / AlNx / NbN / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 230, SCE2011-15, pp. 19-24, 2011年10月. | |
| 資料番号 | SCE2011-15 | |
| 発行日 | 2011-10-05 (SCE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SCE2011-15 エレソ技報アーカイブへのリンク：SCE2011-15 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
| 開催期間 | 2011-10-12 - 2011-10-12 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般 |
| テーマ（英） | Fundamental Technologies for Superconducting Electronics, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SCE |
| 会議コード | 2011-10-SCE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | プラズマ窒化AlNx障壁層を持つNbNトンネル接合の電気的特性改善 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement in electrical characteristics of NbN tunnel junctions with plasma-nitrided AlNx barriers |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | プラズマ窒化 / Plasma-Nitridation |
| キーワード(2)（和/英） | AlNx / AlNx |
| キーワード(3)（和/英） | NbN / NbN |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 舩井 辰則 / Tatsunori Funai / フナイ タツノリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内藤 直生人 / Naoto Naito / ナイトウ ナオト |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤池 宏之 / Hiroyuki Akaike / アカイケ ヒロユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤巻 朗 / Akira Fujimaki / フジマキ アキラ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第5著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-10-12 14:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SCE |
| 資料番号 | SCE2011-15 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.230 |
| ページ範囲 | pp.19-24 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-10-05 (SCE) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]