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講演抄録/キーワード
講演名 2011-09-22 16:10
ポリアルキルフルオレン有機発光トランジスタの電気的光学的特性の紫外光照射による影響
寺島大樹楠本悠介梶井博武大森 裕阪大OME2011-46 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2011-46
抄録 (和) poly(9,9dioctylfluorenyl-2,7-diyl) (F8)を有機半導体層に用いたトップゲート型有機電界効果トランジスタ(OFET)の作製とその電気的光学的特性を検討した。F8を用いたOFETは両極性を示し、適切なゲート電圧を印加する事で、正孔と電子を同時に有機半導体層に注入でき、青色発光を示した。また、溶液プロセスのみでOFETを作製するため、ゲート電極に銀ナノインクを用いることを検討した。ゲート絶縁膜に用いたアモルファスフッ素系樹脂Cytop® (旭硝子)は撥水性が高く通常その上部に銀ナノインクを用いることができないが、窒素と酸素の混合雰囲気中で紫外光を照射することにより、Cytopの表面エネルギーが上昇し、溶液プロセスを用いて銀ナノインクを成膜できるようになることが明らかになった。これより、溶液プロセスのみで発光OFETを作製できる可能性を見出した。しかし、紫外光を照射することによりF8が劣化し、OFETのn型飽和特性が見られなくなりEL発光を示さなくなるということが明らかになった。これは紫外光照射により、F8に酸素由来の結合が生成され、電子トラップとなっていることが示唆される。 
(英) The fabrication and electrical and optical properties of top-gate-type organic field effect transistors (OFETs) utilizing poly(9,9dioctylfluorenyl-2,7-diyl) (F8) were investigated. The OFETs utilizing F8 showed ambipolar characteristics and blue emission. Then, the Ag nano-ink was used for the gate electrode to fabricate OFETs only in the solution-process. The amorphous fluoro-polymer Cytop (Asahi Glass Co., Ltd.) which has good solution barrier properties was used for the gate insulator and the UV light was irradiated on Cytop film in the mixture atmosphere of nitrogen and oxygen to decrease water-shedding quality of the film. As a result, the surface energy of Cytop was increased by UV irradiation, and the gate electrode was fabricated in solution-process on the Cytop film by using the Ag nano-ink. However, after irradiated UV light, the photo-degradation of F8 was observed. Consequently, the saturation current of OFETs in the electron enhancement mode markedly decreased, and the EL emission was not observed. It is suggested that the oxygen bindings were generated to F8 film by UV irradiation, and acted as an electron trap sites.
キーワード (和) 有機トランジスタ / トップゲート構造 / 両極性 / Cytop / F8 / / /  
(英) Organic Field Effect Transistors / Top-Gate-Type / Light-Emitting / Cytop / F8 / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 212, OME2011-46, pp. 25-29, 2011年9月.
資料番号 OME2011-46 
発行日 2011-09-15 (OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OME2011-46 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2011-46

研究会情報
研究会 OME  
開催期間 2011-09-22 - 2011-09-22 
開催地(和) 大阪市中央公会堂 
開催地(英) Osaka City Central Public Hall 
テーマ(和) 有機材料・一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OME 
会議コード 2011-09-OME 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ポリアルキルフルオレン有機発光トランジスタの電気的光学的特性の紫外光照射による影響 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Influence of UV irradiation on electrical and optical properties of organic light-emitting transistor based on poly(alkyfluorene) 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 有機トランジスタ / Organic Field Effect Transistors  
キーワード(2)(和/英) トップゲート構造 / Top-Gate-Type  
キーワード(3)(和/英) 両極性 / Light-Emitting  
キーワード(4)(和/英) Cytop / Cytop  
キーワード(5)(和/英) F8 / F8  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 寺島 大樹 / Daiki Terashima / テラシマ ダイキ
第1著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 楠本 悠介 / Yusuke Kusumoto / クスモト ユウスケ
第2著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 梶井 博武 / Hirotake Kajii / カジイ ヒロタケ
第3著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 大森 裕 / Yutaka Ohmori / オオモリ ユタカ
第4著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2011-09-22 16:10:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 OME 
資料番号 OME2011-46 
巻番号(vol) vol.111 
号番号(no) no.212 
ページ範囲 pp.25-29 
ページ数
発行日 2011-09-15 (OME) 


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