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講演抄録/キーワード
講演名 2011-08-26 13:30
波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発
高田 幹東大)・田中 有富士通研/QDレーザ)・松本 武富士通研)・近藤勇人持田励雄前多泰成山口正臣影山健生武政敬三西 研一QDレーザ)・中田義昭山本剛之富士通研/QDレーザ)・菅原 充QDレーザ)・荒川泰彦東大EMD2011-53 CPM2011-97 OPE2011-88 LQE2011-51 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2011-53 CPM2011-97 OPE2011-88 LQE2011-51
抄録 (和) 光アクセス系で導入が進められている10G-EPONなどの次世代10ギガビット級PON (Passive Optical Network) システムにおける上り用光源への適用に向けて, 波長1.27μm帯量子ドットDFBレーザの研究開発を行っている. 高密度量子ドットの適用による高利得化, 及び共振器長の調整によって光出力の向上を図り, -10ºCから85ºCにおいて, 単一モード発振での温度安定な電流-光出力特性と, +4.5dBmと高いファイバ光出力条件での10.3Gb/s直接変調動作を実現した. 
(英) 1.27-μm high-density quantum-dot (QD) DFB lasers for access network applications such as 10G-EPON are presented. Fabricated QD DFB lasers show temperature-stable light-current characteristics with stable single-mode oscillation. Furthermore, owing to the high optical gain of QD active layers and long cavity design, 10.3-Gb/s operations with a high averaged output power of + 4.5 dBm are demonstrated in the temperature range of -10ºC to 85ºC.
キーワード (和) 量子ドット / distributed-feedback (DFB) レーザ / 直接変調 / 10G-EPON / XG-PON / / /  
(英) quantum dot / distributed-feedback (DFB) laser / direct modulation / 10G-EPON / XG-PON / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 186, LQE2011-51, pp. 109-112, 2011年8月.
資料番号 LQE2011-51 
発行日 2011-08-18 (EMD, CPM, OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EMD2011-53 CPM2011-97 OPE2011-88 LQE2011-51 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2011-53 CPM2011-97 OPE2011-88 LQE2011-51

研究会情報
研究会 CPM OPE LQE EMD  
開催期間 2011-08-25 - 2011-08-26 
開催地(和) 北海道大学 創成科学研究棟 5階 大会議室 
開催地(英) Hokkaido Univ. 
テーマ(和) 光部品・電子デバイス実装技術、一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2011-08-CPM-OPE-LQE-EMD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Research and Development of 1.27-μm High-Density Quantum-Dot DFB Lasers 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 量子ドット / quantum dot  
キーワード(2)(和/英) distributed-feedback (DFB) レーザ / distributed-feedback (DFB) laser  
キーワード(3)(和/英) 直接変調 / direct modulation  
キーワード(4)(和/英) 10G-EPON / 10G-EPON  
キーワード(5)(和/英) XG-PON / XG-PON  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 高田 幹 / Kan Takada / タカダ カン
第1著者 所属(和/英) 東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 (略称: 東大)
Institute for Nano Quantum Information Electronics, the University of Tokyo (略称: The Univ. of Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 有 / Yu Tanaka / タナカ ユウ
第2著者 所属(和/英) (株)富士通研究所/(株)QDレーザ (略称: 富士通研/QDレーザ)
Fujitsu Laboratories Ltd./QD Laser, Inc. (略称: Fujitsu Lab./QDL)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 松本 武 / Takeshi Matsumoto / マツモト タケシ
第3著者 所属(和/英) (株)富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 近藤 勇人 / Hayato Kondo / コンドウ ハヤト
第4著者 所属(和/英) (株)QDレーザ (略称: QDレーザ)
QD Laser, Inc. (略称: QDL)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 持田 励雄 / Reio Mochida / モチダ レイオ
第5著者 所属(和/英) (株)QDレーザ (略称: QDレーザ)
QD Laser, Inc. (略称: QDL)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 前多 泰成 / Yasunari Maeda / マエダ ヤスナリ
第6著者 所属(和/英) (株)QDレーザ (略称: QDレーザ)
QD Laser, Inc. (略称: QDL)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 山口 正臣 / Masaomi Yamaguchi / ヤマグチ マサオミ
第7著者 所属(和/英) (株)QDレーザ (略称: QDレーザ)
QD Laser, Inc. (略称: QDL)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 影山 健生 / Takeo Kageyama / カゲヤマ タケオ
第8著者 所属(和/英) (株)QDレーザ (略称: QDレーザ)
QD Laser, Inc. (略称: QDL)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 武政 敬三 / Keizo Takemasa / タケマサ ケイゾウ
第9著者 所属(和/英) (株)QDレーザ (略称: QDレーザ)
QD Laser, Inc. (略称: QDL)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 西 研一 / Kenichi Nishi / ニシ ケンイチ
第10著者 所属(和/英) (株)QDレーザ (略称: QDレーザ)
QD Laser, Inc. (略称: QDL)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 中田 義昭 / Yoshiaki Nakata / ナカタ ヨシアキ
第11著者 所属(和/英) (株)富士通研究所/(株)QDレーザ (略称: 富士通研/QDレーザ)
Fujitsu Laboratories Ltd./QD Laser, Inc. (略称: Fujitsu Lab./QDL)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 剛之 / Tsuyoshi Yamamoto / ヤマモト ツヨシ
第12著者 所属(和/英) (株)富士通研究所/(株)QDレーザ (略称: 富士通研/QDレーザ)
Fujitsu Laboratories Ltd./QD Laser, Inc. (略称: Fujitsu Lab./QDL)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 菅原 充 / Mitsuru Sugawara / スガワラ ミツル
第13著者 所属(和/英) (株)QDレーザ (略称: QDレーザ)
QD Laser, Inc. (略称: QDL)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 荒川 泰彦 / Yasuhiko Arakawa / アラカワ ヤスヒコ
第14著者 所属(和/英) 東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構/東京大学生産技術研究所 (略称: 東大)
Institute for Nano Quantum Information Electronics/Institute of Industrial Science, the University of Tokyo (略称: The Univ. of Tokyo)
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講演者
発表日時 2011-08-26 13:30:00 
発表時間 25 
申込先研究会 LQE 
資料番号 IEICE-EMD2011-53,IEICE-CPM2011-97,IEICE-OPE2011-88,IEICE-LQE2011-51 
巻番号(vol) IEICE-111 
号番号(no) no.183(EMD), no.184(CPM), no.185(OPE), no.186(LQE) 
ページ範囲 pp.109-112 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-EMD-2011-08-18,IEICE-CPM-2011-08-18,IEICE-OPE-2011-08-18,IEICE-LQE-2011-08-18 


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