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講演抄録/キーワード
講演名 2011-08-26 15:30
動的基板制御による非対称SRAM
藪内 誠塚本康正藤原英弘前川考志五十嵐元繁新居浩二ルネサス エレクトロニクスエレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-93 ICD2011-61
抄録 (和) 非対称MOS構造をアクセスTrに適用した横型SRAMを開発した。これは追加マスク無しで、Static Noise MarginとWrite Marginの両方を改善できる。さらに動的基板制御を適用する事で0.5Vで2.4nsアクセスタイムという高速なSRAMを達成した。 
(英) In this paper, we propose an SRAM macro that realizes 0.5V operation by combining a device technique with simple design architecture. Regarding the device technique, we utilize asymmetric halo implant MOSFETs, which enables to enhance both the static noise margin and write margin of SRAM, simultaneously. As for the design technique, dynamic body-bias scheme which operates body bias dynamically is introduced to overcome the speed degradation due to lower supply voltage. Showing measured data fabricated on 45nm CMOS technology, we demonstrate a plausible scenario for achieving 0.5V operating SoC products.
キーワード (和) SRAM / ばらつき / 非対称トランジスタ / 動的基板バイアス制御 / / / /  
(英) SRAM / Variation / Asymmetric MOSFET / Dynamic body bias / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 188, ICD2011-61, pp. 115-120, 2011年8月.
資料番号 ICD2011-61 
発行日 2011-08-18 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 SDM ICD  
開催期間 2011-08-25 - 2011-08-26 
開催地(和) 富山県民会館 
開催地(英) Toyama kenminkaikan 
テーマ(和) 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2011-08-SDM-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 動的基板制御による非対称SRAM 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A Dynamic body-biased SRAM with Asymmetric Halo Implant MOSFETs 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SRAM / SRAM  
キーワード(2)(和/英) ばらつき / Variation  
キーワード(3)(和/英) 非対称トランジスタ / Asymmetric MOSFET  
キーワード(4)(和/英) 動的基板バイアス制御 / Dynamic body bias  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 藪内 誠 / Makoto Yabuuchi / ヤブウチ マコト
第1著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 塚本 康正 / Yasumasa Tsukamoto / ツカモト ヤスマサ
第2著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤原 英弘 / Hidehiro Fujiwara / フジワラ ヒデヒロ
第3著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 前川 考志 / Koji Maekawa / マエカワ コウジ
第4著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 五十嵐 元繁 / Motoshige Igarashi / イガラシ モトシゲ
第5著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 新居 浩二 / Koji Nii / ニイ コウジ
第6著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas)
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講演者
発表日時 2011-08-26 15:30:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-SDM2011-93,IEICE-ICD2011-61 
巻番号(vol) IEICE-111 
号番号(no) no.187(SDM), no.188(ICD) 
ページ範囲 pp.115-120 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2011-08-18,IEICE-ICD-2011-08-18 


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