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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-08-26 15:05 8T DP-SRAMセルのライトディスターブ特性を改善するビット線イコライズ回路を備えた28nmDP-SRAM ○石井雄一郎・藤原英弘・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）・千ヶ崎英夫・黒宮 修・佐伯 宰（ルネサスデザイン）・宮西篤史・木原雄治（ルネサス エレクトロニクス）  SDM2011-92 ICD2011-60 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-92 ICD2011-60 |
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| 抄録 | （和） | 8T デュアルポートSRAMセルのライトディスターブ状態での動作下限電圧を改善する回路手法を提案する．提案するアクティブビット線イコライズ手法はライトディスターブ状態でのデュアルポートSRAMセルの書き込みマージンを改善する．また提案手法はデュアルポートSRAMの両ポートが非同期動作しても適用することができる．28nmCMOSテクノロジを用いて，256kb容量のデュアルポートSRAMマクロを試作し，25℃の温度条件でライトアクセスタイム1.4nsおよび0.66Vでの動作を確認した．これは従来回路と比較してライトアクセスタイムで40%の高速化，120mVの動作下限電圧の改善となる． |
| （英） | We propose circuit techniques for an 8T dual-port (DP) SRAM to improve its minimum operating voltage (Vddmin). Active bitline equalizing technique improves the write margin whenever a write-disturb occurs. This technique is applicable for both synchronous and asynchronous clock frequencies between ports. We designed and fabricated a 256 kb DP-SRAM macro using 28-nm low-power CMOS technology and achieved low-voltage operation at 0.66 V and 1.4 ns write access time at 25°C, which are 120 mV lower and 40% faster than the conventional performance. | |
| キーワード | （和） | デュアルポート / エンベデッドSRAM / 8T / 28nm / ライトディスターブ / / / |
| （英） | dual-port / Embedded SRAM / 8T / 28nm / write disturb / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 188, ICD2011-60, pp. 109-114, 2011年8月. | |
| 資料番号 | ICD2011-60 | |
| 発行日 | 2011-08-18 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-92 ICD2011-60 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-92 ICD2011-60 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ICD |
| 開催期間 | 2011-08-25 - 2011-08-26 |
| 開催地（和） | 富山県民会館 |
| 開催地（英） | Toyama kenminkaikan |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2011-08-SDM-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 8T DP-SRAMセルのライトディスターブ特性を改善するビット線イコライズ回路を備えた28nmDP-SRAM |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 28-nm dual-port SRAM macro with active bitline equalizing circuitry against write disturb issue |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | デュアルポート / dual-port |
| キーワード(2)（和/英） | エンベデッドSRAM / Embedded SRAM |
| キーワード(3)（和/英） | 8T / 8T |
| キーワード(4)（和/英） | 28nm / 28nm |
| キーワード(5)（和/英） | ライトディスターブ / write disturb |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石井 雄一郎 / Yuichiro Ishii / イシイ ユウイチロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas Electronics) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤原 英弘 / Hidehiro Fujiwara / フジワラ ヒデヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas Electronics) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新居 浩二 / Koji Nii / ニイ コウジ |
| 第3著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas Electronics) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 千ヶ崎 英夫 / Hideo Chigasaki / チガサキ ヒデオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサス デザイン (略称： ルネサスデザイン) Renesas Design (略称： Renesas Design) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒宮 修 / Osamu Kuromiya / クロミヤ オサム |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサス デザイン (略称： ルネサスデザイン) Renesas Design (略称： Renesas Design) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐伯 宰 / Tsukasa Saiki / サイキ ツカサ |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサス デザイン (略称： ルネサスデザイン) Renesas Design (略称： Renesas Design) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮西 篤史 / Atsushi Miyanishi / ミヤニシ アツシ |
| 第7著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas Electronics) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木原 雄治 / Yuji Kihara / キハラ ユウジ |
| 第8著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas Electronics) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-08-26 15:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | SDM2011-92, ICD2011-60 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.187(SDM), no.188(ICD) |
| ページ範囲 | pp.109-114 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-08-18 (SDM, ICD) |
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