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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-08-25 10:50 ナノスケールMOSFETにおけるプラズマドーピングとレーザーアニールを適用した急峻SDEの検討 ○杉崎絵美子・宮田俊敬・大島康礼・外園 明・安達甘奈・宮野清孝・辻井秀二・川中 繁・稲葉 聡・井谷孝治・飯沼俊彦・豊島義明（東芝）  SDM2011-75 ICD2011-43 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-75 ICD2011-43 |
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| 抄録 | （和） | ナノスケール世代のMOSFETのスケーリングにおいては、ソースドレインエクステンション（SDE）不純物プロファイル設計の重要性が益々注目され、多くの検討が行われている。 本論文では、ナノスケールpMOSFETにおける、急峻SDE形成にプラズマドーピングとレーザースパイクアニールを適用し、従来のイオン注入技術によるデバイスと比較を行った。 その結果、プラズマドーピングと高温レーザーアニールを組み合わせて作製したデバイスでは、急峻なBのプロファイル形成を実現することができ、かつチャネル領域でのHaloドーピングの効率を増加できることが実証された。 |
| （英） | The importance of impurity profile design for Source/Drain Extension (SDE) is widely recognized for deeply scaled MOSFET. In this paper, novel SDE formation scheme in planar pMOSFET is discussed using Plasma Doping (PD) and Laser Spike Annealing (LSA),comparing with conventional Ion Implantation (I/I) technique. It is found that the combination of PD and high-temperature LSA canrealize the abrupt boron profile and an additive efficiency of halo doping in channel region. | |
| キーワード | （和） | MOSFET / プラズマドーピング / レーザースパイクアニール / Haloドーピング / / / / |
| （英） | MOSFET / Plasma Doping / Laser Spike Annealing / Halo doping / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 187, SDM2011-75, pp. 23-27, 2011年8月. | |
| 資料番号 | SDM2011-75 | |
| 発行日 | 2011-08-18 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-75 ICD2011-43 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-75 ICD2011-43 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ICD |
| 開催期間 | 2011-08-25 - 2011-08-26 |
| 開催地（和） | 富山県民会館 |
| 開催地（英） | Toyama kenminkaikan |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-08-SDM-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ナノスケールMOSFETにおけるプラズマドーピングとレーザーアニールを適用した急峻SDEの検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Plasma Doping and Laser Spike Annealing Technique for Steep SDE Formation in nano-scale MOSFET |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | プラズマドーピング / Plasma Doping |
| キーワード(3)（和/英） | レーザースパイクアニール / Laser Spike Annealing |
| キーワード(4)（和/英） | Haloドーピング / Halo doping |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉崎 絵美子 / Emiko Sugizaki / スギザキ エミコ |
| 第1著者 所属（和/英） | (株)東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮田 俊敬 / Toshitaka Miyata / ミヤタ トシタカ |
| 第2著者 所属（和/英） | (株)東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大島 康礼 / Yasunori Oshima / オオシマ ヤスノリ |
| 第3著者 所属（和/英） | (株)東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 外園 明 / Akira Hokazono / ホカゾノ アキラ |
| 第4著者 所属（和/英） | (株)東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安達 甘奈 / Kanna Adachi / アダチ カンナ |
| 第5著者 所属（和/英） | (株)東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮野 清孝 / Kiyotaka Miyano / ミヤノ キヨタカ |
| 第6著者 所属（和/英） | (株)東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 辻井 秀二 / Hideji Tsujii / ツジイ ヒデジ |
| 第7著者 所属（和/英） | (株)東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川中 繁 / Shigeru Kawanaka / カワナカ シゲル |
| 第8著者 所属（和/英） | (株)東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 稲葉 聡 / Satoshi Inaba / イナバ サトシ |
| 第9著者 所属（和/英） | (株)東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井谷 孝治 / Takaharu Itani / イタニ タカハル |
| 第10著者 所属（和/英） | (株)東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 飯沼 俊彦 / Toshihiko Iinuma / イイヌマ トシヒコ |
| 第11著者 所属（和/英） | (株)東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 豊島 義明 / Yoshiaki Toyoshima / トヨシマ ヨシアキ |
| 第12著者 所属（和/英） | (株)東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-08-25 10:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-75, ICD2011-43 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.187(SDM), no.188(ICD) |
| ページ範囲 | pp.23-27 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2011-08-18 (SDM, ICD) |
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