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講演抄録/キーワード
講演名 2011-08-25 10:25
Datta-Das型スピントランジスタにおける性能と消費電力見積もり
近藤佳之川中 繁安達甘奈東芝SDM2011-74 ICD2011-42 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-74 ICD2011-42
抄録 (和) Datta-Das型スピントランジスタ(SFET)において電荷の充放電によるアクティブパワーと
遅延時間の見積もりを行った。我々はSFETによって構成される
NOT回路の構成をはじめて提案し、またSFETのみで論理演算が
可能となることを示した。
NittaらによるRashbaパラメータ$\alpha$の実験結果
({\it PRL} {\bf 78}(7),pp.1335,(1997).)と
1D Schr\"odinger-Poisson方程式の解を用いることにより、
SFETの動作原理に基づくインバーター回路のアクティブエネルギーと
その遅延時間が計算され得る。
我々の提案したインバーター回路によるアクティブエネルギーは
同寸法のCMOS回路のエネルギーの最小限界を下回るという結果を得た。 
(英) We report the results of power-performance analysis
of Datta-Das spin transistor(SFET) in this paper.
We clarified its trade-off between the switching energy and
the delay time. We suggested one of the types of inverter circuits
using SFETs, and mentioned the possibility of the logic operation.
The power performance was calculated
by making use of an experimental measurements of Rashba parameter
$\alpha$ by Nitta {\it et al}.({\it PRL} {\bf 78}(7),pp.1335,(1997).),
and our analytical method with 1D Schr\"odinger-Poisson equation.
From our study on the SFET-inverter circuits,
it was found that its active energy
was below that of a theoretical minimum limit of CMOS circuits
composed of same dimension MOSFETs.
キーワード (和) 低消費電力デバイス / スピントランジスタ / スピン軌道相互作用 / 電力遅延積 / CMOS / スピントロニクス / /  
(英) low power devices / spin transistor / spin-orbit interaction / power-delay product / CMOS / spintronics / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 187, SDM2011-74, pp. 17-22, 2011年8月.
資料番号 SDM2011-74 
発行日 2011-08-18 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2011-74 ICD2011-42 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-74 ICD2011-42

研究会情報
研究会 SDM ICD  
開催期間 2011-08-25 - 2011-08-26 
開催地(和) 富山県民会館 
開催地(英) Toyama kenminkaikan 
テーマ(和) 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2011-08-SDM-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Datta-Das型スピントランジスタにおける性能と消費電力見積もり 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Power-Performance Estimation of Datta-Das Spin Transistor 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 低消費電力デバイス / low power devices  
キーワード(2)(和/英) スピントランジスタ / spin transistor  
キーワード(3)(和/英) スピン軌道相互作用 / spin-orbit interaction  
キーワード(4)(和/英) 電力遅延積 / power-delay product  
キーワード(5)(和/英) CMOS / CMOS  
キーワード(6)(和/英) スピントロニクス / spintronics  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 近藤 佳之 / Yoshiyuki Kondo / コンドウ ヨシユキ
第1著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Co. (略称: Toshiba)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 川中 繁 / Shigeru Kawanaka / カワナカ シゲル
第2著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Co. (略称: Toshiba)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 安達 甘奈 / Kanna Adachi / アダチ カンナ
第3著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Co. (略称: Toshiba)
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講演者 第1著者 
発表日時 2011-08-25 10:25:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2011-74, ICD2011-42 
巻番号(vol) vol.111 
号番号(no) no.187(SDM), no.188(ICD) 
ページ範囲 pp.17-22 
ページ数
発行日 2011-08-18 (SDM, ICD) 


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