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| 講演名 | 2011-08-25 11:15 ［招待講演］強誘電体メモリ（FeRAM）の技術動向 ～ 2010とこれから ～ ○川嶋将一郎（富士通セミコンダクター）  SDM2011-76 ICD2011-44 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-76 ICD2011-44 |
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| 抄録 | （和） | 強誘電体は自発分極をもちこの方向を０と１の記憶に用いた不揮発性メモリが ＦｅＲＡＭである。強誘電体の例としてＰＺＴ（チタン酸ジルコニウム鉛）の構造、 温度特性、劣化要因などをレビューしたのち、実際の各社のセル、回路アーキ等を概観する。 なかなかドリームメモリとして成り立っていない点も理解していただき、パネル討論の導入部分の役割とする。 |
| （英） | Ferroelectric materials show spontaneous polarization; FeRAM utilizes the positive and negative polarization direction corresponding to '1' and '0' states for stored data. After reviewing fundamental structure, property of temperature and degradation in reffering PZT (Pb(Zr,Ti)O3), proposed actual cell structures and the memory architectures by many activity will be described. This paper touches some challenges on the way to a dream memory and serves an introduction to the low power panel discussion later. |
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| キーワード | （和） | 強誘電体メモリ / 強誘電体メモリセル / PZT / / / / / |
| （英） | Ferroelectric / FeRAM / FeRAM-Cell / PZT / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 187, SDM2011-76, pp. 29-34, 2011年8月. | |
| 資料番号 | SDM2011-76 | |
| 発行日 | 2011-08-18 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-76 ICD2011-44 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-76 ICD2011-44 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ICD |
| 開催期間 | 2011-08-25 - 2011-08-26 |
| 開催地（和） | 富山県民会館 |
| 開催地（英） | Toyama kenminkaikan |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-08-SDM-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 強誘電体メモリ（FeRAM）の技術動向 |
| サブタイトル（和） | 2010とこれから |
| タイトル（英） | Ferroelectric Random Access Memory |
| サブタイトル（英） | Fundamentals, recent advancements and future |
| キーワード(1)（和/英） | 強誘電体メモリ / Ferroelectric |
| キーワード(2)（和/英） | 強誘電体メモリセル / FeRAM |
| キーワード(3)（和/英） | PZT / FeRAM-Cell |
| キーワード(4)（和/英） | / PZT |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川嶋 将一郎 / Shoichiro Kawashima / カワシマ ショウイチロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 富士通セミコンダクター (略称： 富士通セミコンダクター) Fujitus Semiconductor (略称： FSL) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-08-25 11:15:00 |
| 発表時間 | 45分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-76, ICD2011-44 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.187(SDM), no.188(ICD) |
| ページ範囲 | pp.29-34 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-08-18 (SDM, ICD) |
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