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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-08-11 09:50 シリコン酸化膜の不均一な熱分解 ○遠田義晴・小川可乃・永井孝幸（弘前大）  CPM2011-68 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2011-68 |
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| 抄録 | （和） | Si(100)基板上に形成された20nm膜厚のシリコン熱酸化膜を，真空中1100℃で加熱し，これにより生ずる酸化膜の熱分解反応を，X線光電子分光（XPS），走査型オージェ電子顕微鏡（SAM），原子間力顕微鏡（AFM）で調べた．加熱時間に対するXPSのSi 2p内殻準位強度変化を調べ，酸化膜のボイド形成による脱離モデルにより解析した．ボイド面積が加熱時間の２乗に比例すると考えて実験結果をよく再現し，これまでの研究結果と合致する結果となった．SAMによりボイドの形状を調べた結果，角の丸まった正方形をしており，またボイド内には微細な構造が形成されていることがわかった．これらの観測は，シリコン酸化膜の熱分解反応素過程を反映した結果であると考えられる． |
| （英） | We have investigated the thermal decomposition of 20nm-thickness silicon oxide on Si(100) at a temperature of 1100ºC in vacuum by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), scanning Auger electron microscopy (SAM), and atomic force microscopy (AFM). Time evolutions of Si 2p core-level intensities from Si substrate in XPS were analyzed with the SiO2-decomposition model based on the void formation. The experimental data can be reproduced well if the void area is proportional to the heating time squared, being consistent with the previous studies. SAM images showed that the voids were square with rounded corners in shape and had many fine structures inside. These observations reveal reaction processes of the thermal decomposition of silicon oxide. | |
| キーワード | （和） | シリコン酸化膜 / 熱分解 / ボイド形成 / / / / / |
| （英） | Silicon oxide / Thermal decomposition / Void formation / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 176, CPM2011-68, pp. 61-64, 2011年8月. | |
| 資料番号 | CPM2011-68 | |
| 発行日 | 2011-08-03 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2011-68 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2011-68 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2011-08-10 - 2011-08-11 |
| 開催地（和） | 弘前大学 文京町キャンパス |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 電子部品・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2011-08-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | シリコン酸化膜の不均一な熱分解 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Uneven thermal decomposition of silicon oxide layer |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン酸化膜 / Silicon oxide |
| キーワード(2)（和/英） | 熱分解 / Thermal decomposition |
| キーワード(3)（和/英） | ボイド形成 / Void formation |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠田 義晴 / Yoshiharu Enta / エンタ ヨシハル |
| 第1著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小川 可乃 / Kano Ogawa / オガワ カノ |
| 第2著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永井 孝幸 / Takayuki Nagai / ナガイ タカユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-08-11 09:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2011-68 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.176 |
| ページ範囲 | pp.61-64 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-08-03 (CPM) |
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