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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-08-10 15:20 組成を変化させたZrBx薄膜の特性評価 ○武山真弓・佐藤 勝・野矢 厚（北見工大）  CPM2011-61 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2011-61 |
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| 抄録 | （和） | 我々は、先に検討したZrB2薄膜に固有の電気的・化学的特性が非化学量論組成の薄膜においても保持されるのかどうかを検討するため、Zr-rich組成のZrBx膜を作製し、その特性をCu配線のメタルキャップ層への応用を念頭において調べた。その結果、Zr:B=2:1の組成を有するZrBx膜においても、膜中の酸素混入量により、そのキャッピング層としての特性が変化することが明らかとなった。30%程度の酸素混入量がある膜では、非化学量論組成であってもZrB2相が得られ、500℃熱処理後においてもCuとZrBx膜との拡散・反応は見られなかった。一方、10％程度に酸素量を軽減した膜では、フリーなZrが多く存在することにより、膜の組織もメタルZrが主体となることによって、500℃熱処理後には下地Cuとの間でCu-Zr化合物が形成されることがわかった。このような特性の違いは、膜中の酸素混入量が関係しており、ZrB2相が形成されるような膜が得られれば、Zr-richな組成であってもZrBx膜は、Cu上のメタルキャップとして適用し得る可能性があることが示された。 |
| （英） | We have examined characteristics of ZrBx thin films with off-stoichiometry from the ZrB2 compound as an application as a metallic capping layer to Cu interconnects. The Zr-rich ZrBx films containing 30 at.% oxygen show the dominant ZrB2 phase, and have good properties as a metallic capping layer against Cu diffusion and/or surface oxidation reaction. On the other hand, the ZrBx films containing 10 at.% oxygen mainly show the dominant metal-Zr phase. In this case, the properties of the ZrBx film as a capping layer are not satisfactory, because the excess Zr atoms reacts with the Cu layer after annealing at 500℃ for 30 min. We speculate that apparently the difference in behavior is ascribed to the difference of the oxygen contents in the film. In the application of Zr-rich ZrBx films as a metallic capping layer, it is revealed that the oxygen incorporation in a proper content play an important role for stabilizing the ZrB2 phase in the films. | |
| キーワード | （和） | Cu配線 / ZrB2 / 低抵抗 / メタルキャップ / / / / |
| （英） | Cu interconnects / ZrB2 / low resistivity / metal capping layer / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 176, CPM2011-61, pp. 27-30, 2011年8月. | |
| 資料番号 | CPM2011-61 | |
| 発行日 | 2011-08-03 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2011-61 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2011-61 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2011-08-10 - 2011-08-11 |
| 開催地（和） | 弘前大学 文京町キャンパス |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 電子部品・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2011-08-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 組成を変化させたZrBx薄膜の特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Properties of ZrBx Thin Films with Off-stoichiometry from ZrB2 Compound |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cu配線 / Cu interconnects |
| キーワード(2)（和/英） | ZrB2 / ZrB2 |
| キーワード(3)（和/英） | 低抵抗 / low resistivity |
| キーワード(4)（和/英） | メタルキャップ / metal capping layer |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武山 真弓 / Mayumi B. Takeyama / タケヤマ マユミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北見工業大学 (略称： 北見工大) Kitami Institute of Technology (略称： Kitami Inst. of Technol.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 勝 / Masaru Sato / サトウ マサル |
| 第2著者 所属（和/英） | 北見工業大学 (略称： 北見工大) Kitami Institute of Technology (略称： Kitami Inst. of Technol.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野矢 厚 / Atsushi Noya / ノヤ アツシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北見工業大学 (略称： 北見工大) Kitami Institute of Technology (略称： Kitami Inst. of Technol.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-08-10 15:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2011-61 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.176 |
| ページ範囲 | pp.27-30 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-08-03 (CPM) |
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