講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-08-10 14:40
TSFZ法による高温超伝導体Bi-2223単結晶の育成と評価 ○足立伸太郎・臼井友洋・橋本雄三・渡辺孝夫(弘前大)・藤井武則(東大) CPM2011-60 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2011-60 |
抄録 |
(和) |
高温超伝導体Bi_{2}Sr_{2}Ca_{2}Cu_{3}O_{10+δ}(Bi-2223)は、結晶育成中に不純物としてBi_{2}Sr_{2}CaCu_{2}O_{8+δ}(Bi-2212)が混入しやすいため、良質な単結晶を得ることが難しい。本研究では、より再現性良くBi-2223の単結晶を得るためのTSFZ法(溶媒移動型浮遊帯域法)による育成条件を検討した。まず、Bi-2223は溶融帯の過飽和度が小さいということを考慮し、育成速度を0.03mm/hというとても遅い値にした。さらに、育成雰囲気をO210%+Ar90%にしたところ、育成中の比較的早い段階からほぼ単相のBi-2223が成長していることを確認した。また、仕込み組成でBiの比率を高めることが効果的であることも分かってきた。 |
(英) |
It is difficult to obtain high quality single crystal high-Tc superconductor Bi_{2}Sr_{2}Ca_{2}Cu_{3}O_{10+δ}(Bi-2223). In this research, we investigate the growth condition for obtaining high quality Bi-2223 single crystal by TSFZ method (Traveling Solvent Floating-Zone method). First, we adopted exceedingly slow growth rate of 0.03mm/h, because of an insufficient supersaturation. Second, we adopted a mixed gas flow of O2 10% and Ar 90%. By these methods, almost single-phase Bi-2223 crystals have been grown from an early growth stage. |
キーワード |
(和) |
高温超伝導体 / TSFZ法 / Bi-2223 / 単結晶 / / / / |
(英) |
high-Tc superconductor / TSFZ method / Bi-2223 / single crystal / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 176, CPM2011-60, pp. 21-25, 2011年8月. |
資料番号 |
CPM2011-60 |
発行日 |
2011-08-03 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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