講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-07-30 09:00
P3HT/n-Si有機無機接合へテロダイオードの電荷注入機構と発電特性の解析 ○金子 翔・大山直樹・籾山克章・鈴木貴彦・廣瀬文彦(山形大) ED2011-46 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2011-46 |
抄録 |
(和) |
塗布プロセスによって簡易な成膜が可能であり高移動度p型有機半導体として知られるP3HTを用いてn-Siとのヘテロ接合ダイオードを試作した。ダイオードは良好な整流特性を示すほか、そのJ-V特性からMIS型ショットキーダイオードとして動作することを明らかにした。J-VとC-V解析から、ショットキーダイオードとしての諸特性、すなわちショットキー障壁φB、内蔵電位φbiをそれぞれ求めた。また理想係数nが2.8~3.3と高い数値が得られていることから、有機無機ヘテロ界面に薄い絶縁層が形成されていることもわかった。また内蔵電位は0.40Vであり、Si層の界面付近に空乏層が形成されており、光が入射するとそこで電荷分離が起こり、発電動作が起きることも分かった。本ダイオードは、試作太陽電池では0.378%程度の発電効率があり、整流素子としての用途のほかに光センサーとしての活用も期待される。 |
(英) |
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キーワード |
(和) |
有機無機接合 / P3HT / ショットキー / 太陽電池 / / / / |
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文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 167, ED2011-46, pp. 45-49, 2011年7月. |
資料番号 |
ED2011-46 |
発行日 |
2011-07-22 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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