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講演抄録/キーワード
講演名 2011-07-04 16:00
Evaluation of Electrical Property at SrTiO3 Bicrystal Interface by EBIC
Tetsuji Kato・○Son Phu Thanh PhamYoshiaki NakamuraJun KikkawaAkira SakaiOsaka Univ.エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-66
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文献情報 信学技報, vol. 111, no. 114, SDM2011-66, pp. 93-96, 2011年7月.
資料番号 SDM2011-66 
発行日 2011-06-27 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2011-07-04 - 2011-07-04 
開催地(和) 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 
開催地(英) VBL, Nagoya Univ. 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2011-07-SDM 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Evaluation of Electrical Property at SrTiO3 Bicrystal Interface by EBIC 
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 哲司 / Tetsuji Kato / カトウ テツジ
第1著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) Son Phu Thanh Pham / Son Phu Thanh Pham / サン フォー タン ファム
第2著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 芳明 / Yoshiaki Nakamura / ナカムラ ヨシアキ
第3著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉川 純 / Jun Kikkawa / キッカワ ジュン
第4著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 酒井 朗 / Akira Sakai / サカイ アキラ
第5著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
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講演者
発表日時 2011-07-04 16:00:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2011-66 
巻番号(vol) IEICE-111 
号番号(no) no.114 
ページ範囲 pp.93-96 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2011-06-27 


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