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講演抄録/キーワード
講演名 2011-07-04 17:20
低消費電力型デバイスを用いたシステムLSIの設計法
鈴木良輔渡辺重佳湘南工科大エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-70
抄録 (和) 低消費電力型デバイスであるトンネル型トランジスタを用いたシステムLSIの設計法をインバータ、NAND回路、全加算器等を用いて検討した。平面型のトンネル型トランジスタを用いた場合には従来の平面型CMOSトランジスタを用いた場合より、パターン面積が大きくなる問題がある。パターン面積を縮小するためにはFinFET型のトンネル型トランジスタの導入が有効である 
(英) Design method of system LSI such as inverter, NAND, and full adder with low power tunnel transistor has been described. Pattern area of system LSI with plane tunnel transistor is larger than that with conventional planar CMOS transistor. By introducing FinFET type tunnel transistor pattern area of system LSI can be reduced to smaller value compared with that using conventional planar CMOS transistor.
キーワード (和) 低電力 / トンネル型トランジスタ / パターン設計 / システムLSI / / / /  
(英) Low power / tunnel type transistor / pattern layout / system LSI / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 114, SDM2011-70, pp. 115-119, 2011年7月.
資料番号 SDM2011-70 
発行日 2011-06-27 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2011-07-04 - 2011-07-04 
開催地(和) 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 
開催地(英) VBL, Nagoya Univ. 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2011-07-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 低消費電力型デバイスを用いたシステムLSIの設計法 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Design method of system LSI with low power device 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 低電力 / Low power  
キーワード(2)(和/英) トンネル型トランジスタ / tunnel type transistor  
キーワード(3)(和/英) パターン設計 / pattern layout  
キーワード(4)(和/英) システムLSI / system LSI  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 良輔 / Ryosuke Suzuki / スズキ リョウスケ
第1著者 所属(和/英) 湘南工科大学 (略称: 湘南工科大)
Shonan Institute of Technology (略称: Shonan Inst. Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡辺 重佳 / Shigeyoshi Watanabe / ワタナベ シゲヨシ
第2著者 所属(和/英) 湘南工科大学 (略称: 湘南工科大)
Shonan Institute of Technology (略称: Shonan Inst. Tech.)
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講演者
発表日時 2011-07-04 17:20:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2011-70 
巻番号(vol) IEICE-111 
号番号(no) no.114 
ページ範囲 pp.115-119 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-SDM-2011-06-27 


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