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講演抄録/キーワード
講演名 2011-07-04 17:00
相変化チャネルトランジスタを用いた積層型NOR PRAMの設計
加藤 翔渡辺重佳湘南工科大エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-69
抄録 (和) 本論文では、相変化チャネルトランジスタを使用した積層型NOR PRAM新たに提案した。 積層型NOR PRAMはDRAMと同程度の高速性能を実現出来る可能性がある事が分かった。この提案方式は、低コスト不揮発メモリを実現する有力な候補である。 
(英) In this paper stacked NOR type PRAM with phase change channel transistor has been newly proposed. Fast access time competitive to DRAM can be realized with stacked NOR type PRAM. The proposed scheme is a promissing candidate for realizing hight- performance, low cost non-volatile semiconductor memory.
キーワード (和) 不揮発性メモリ / PRAM / 相変化チャネルトランジスタ / 積層型NOR構造 / / / /  
(英) Non-volatile memory / PRAM / phase change channel transistor / stacked NOR structure / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 114, SDM2011-69, pp. 109-113, 2011年7月.
資料番号 SDM2011-69 
発行日 2011-06-27 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2011-07-04 - 2011-07-04 
開催地(和) 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 
開催地(英) VBL, Nagoya Univ. 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2011-07-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 相変化チャネルトランジスタを用いた積層型NOR PRAMの設計 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Design of stacked NOR type PRAM with phase change channel transistor 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 不揮発性メモリ / Non-volatile memory  
キーワード(2)(和/英) PRAM / PRAM  
キーワード(3)(和/英) 相変化チャネルトランジスタ / phase change channel transistor  
キーワード(4)(和/英) 積層型NOR構造 / stacked NOR structure  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 翔 / Sho Kato / カトウ ショウ
第1著者 所属(和/英) 湘南工科大学 (略称: 湘南工科大)
Shonan Institute of Technology (略称: Shonan Institute of Technology)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡辺 重佳 / Shigeyoshi Watanabe /
第2著者 所属(和/英) 湘南工科大学 (略称: 湘南工科大)
Shonan Institute of Technology (略称: Shonan Institute of Technology)
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講演者
発表日時 2011-07-04 17:00:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2011-69 
巻番号(vol) IEICE-111 
号番号(no) no.114 
ページ範囲 pp.109-113 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-SDM-2011-06-27 


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