| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-07-04 17:00 相変化チャネルトランジスタを用いた積層型NOR PRAMの設計 ○加藤 翔・渡辺重佳（湘南工科大）  SDM2011-69 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-69 |
|
| 抄録 | （和） | 本論文では、相変化チャネルトランジスタを使用した積層型NOR PRAM新たに提案した。 積層型NOR PRAMはDRAMと同程度の高速性能を実現出来る可能性がある事が分かった。この提案方式は、低コスト不揮発メモリを実現する有力な候補である。 |
| （英） | In this paper stacked NOR type PRAM with phase change channel transistor has been newly proposed. Fast access time competitive to DRAM can be realized with stacked NOR type PRAM. The proposed scheme is a promissing candidate for realizing hight- performance, low cost non-volatile semiconductor memory. | |
| キーワード | （和） | 不揮発性メモリ / PRAM / 相変化チャネルトランジスタ / 積層型NOR構造 / / / / |
| （英） | Non-volatile memory / PRAM / phase change channel transistor / stacked NOR structure / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 114, SDM2011-69, pp. 109-113, 2011年7月. | |
| 資料番号 | SDM2011-69 | |
| 発行日 | 2011-06-27 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-69 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-69 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2011-07-04 - 2011-07-04 |
| 開催地（和） | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-07-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 相変化チャネルトランジスタを用いた積層型NOR PRAMの設計 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Design of stacked NOR type PRAM with phase change channel transistor |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 不揮発性メモリ / Non-volatile memory |
| キーワード(2)（和/英） | PRAM / PRAM |
| キーワード(3)（和/英） | 相変化チャネルトランジスタ / phase change channel transistor |
| キーワード(4)（和/英） | 積層型NOR構造 / stacked NOR structure |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 翔 / Sho Kato / カトウ ショウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 湘南工科大学 (略称： 湘南工科大) Shonan Institute of Technology (略称： Shonan Institute of Technology) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡辺 重佳 / Shigeyoshi Watanabe / |
| 第2著者 所属（和/英） | 湘南工科大学 (略称： 湘南工科大) Shonan Institute of Technology (略称： Shonan Institute of Technology) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第3著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第4著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第5著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-07-04 17:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-69 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.114 |
| ページ範囲 | pp.109-113 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2011-06-27 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]