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講演抄録/キーワード
講演名 2011-07-04 13:20
Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果
柴山茂久名大)・加藤公彦名大/学振)・坂下満男竹内和歌奈中塚 理財満鎭明名大エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-59
抄録 (和) 次世代CMOSの実現に向けて,低い界面準位密度(<1011 cm-2-eV-1)と低SiO2等価膜厚(1 nm)とを同時に実現するHigh-kゲート絶縁膜/Ge構造が求められている.Al2O3は熱的に安定で,比較的高い比誘電率を有しており,界面層として有望な材料である.しかし,Al2O3/Ge構造において,低界面準位密度は実現できておらず,界面準位密度の低減が必要である.現在我々は,Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理による界面構造制御と界面準位密度の低減に注目している.今回,Al2O3/Ge構造の電気的特性および界面結合状態へ酸素熱処理が及ぼす効果について検討した.その結果,酸素熱処理によって,Al2O3/Ge構造における界面準位密度低減が可能であることが分かった.この時,Al2O3中へのGeの拡散が起こっており,Al2O3が結晶化していたこと,またその結晶相はGe基板に対して配向性を有していることがわかった. 
(英) For realizing the next generation complementary metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors (CMOSFETs), High-k/Ge gate stack structure attracts a high level interest. In particular, it is necessary to achieve both a low interface state density (< 1011 cm-2-eV-1) and a low equivalent oxide thickness (EOT (<1 nm)) for High-k/Ge structure. Al2O3 is a hopeful material as an interfacial layer for High-k/Ge stacks because of a thermal stability and a comparatively high dielectric. However, an Al2O3/Ge structure with a low interface state density has not been realized. Therefore, the decrease in the interface state density of Al2O3/Ge structure is necessary. In this study, we focused on the O2-annealing to Al2O3/Ge structure. As a result, the interface state density of the Al2O3/Ge structure decreased with the O2-annealing. In addition, the O2-annealing causes Ge diffusion into the Al2O3 film and crystallization with a characteristic orientation of the Al2O3 film.
キーワード (和) ゲートスタック構造 / Al2O3 / Ge / 酸素熱処理 / 界面準位密度 / / /  
(英) gate stack structure / Al2O3 / Ge / oxygen annealing / interface state density / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 114, SDM2011-59, pp. 51-56, 2011年7月.
資料番号 SDM2011-59 
発行日 2011-06-27 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2011-07-04 - 2011-07-04 
開催地(和) 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 
開催地(英) VBL, Nagoya Univ. 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2011-07-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Effect of O2 Annealing for Al2O3/Ge Structure on Interfacial Properties 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ゲートスタック構造 / gate stack structure  
キーワード(2)(和/英) Al2O3 / Al2O3  
キーワード(3)(和/英) Ge / Ge  
キーワード(4)(和/英) 酸素熱処理 / oxygen annealing  
キーワード(5)(和/英) 界面準位密度 / interface state density  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 柴山 茂久 / Shigehisa Shibayama / シバヤマ シゲヒサ
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 公彦 / Kimihiko Kato / カトウ キミヒコ
第2著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大/学振)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 坂下 満男 / Mitsuo Sakashita / サカシタ ミツオ
第3著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 和歌奈 / Wakana Takeuchi / タケウチ ワカナ
第4著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 中塚 理 / Osamu Nakatsuka / ナカツカ オサム
第5著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima / ザイマ シゲアキ
第6著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
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講演者
発表日時 2011-07-04 13:20:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2011-59 
巻番号(vol) IEICE-111 
号番号(no) no.114 
ページ範囲 pp.51-56 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2011-06-27 


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